SK海力士(SK Hynix)將PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存儲器芯片列為新成長動能，2015年會先決定要將次世代產(chǎn)品應(yīng)用在何IT裝置上，以確定發(fā)展方向。

　　據(jù)南韓每日經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，SK海力士表示將PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列為次世代半導(dǎo)體。2015年將先明確訂定產(chǎn)品制造方向，再著手研發(fā)合適的制程技術(shù)。

　　所謂的次世代半導(dǎo)體，是指DRAM、NAND Flash所代表的存儲器芯片，在功率、容量等規(guī)格升級的半導(dǎo)體產(chǎn)品。SK海力士與IBM、東芝(Toshiba)等攜手合作，以2~3年內(nèi)商用化為目標(biāo)進(jìn)行研發(fā)。

　　與NAND Flash相比，PCRAM在一般資料讀寫速度方面快100倍以上，耐用性更提升1,000倍，SK海力士正與IBM合作進(jìn)行研發(fā)。

　　SK海力士的STT-MRAM研發(fā)伙伴為日系大廠東芝。STT-MRAM是能以超高速、低功率驅(qū)動，即使不供應(yīng)電力，也能保存資訊的非揮發(fā)性存儲器。此外，STT-MRAM可采用10納米以下制程。

　　SK海力士與惠普(HP)合作研發(fā)的ReRAM亦屬非揮發(fā)性存儲器，可應(yīng)用在要求高速驅(qū)動、大容量、低功率的裝置上。

　　SK海力士迅速對次世代半導(dǎo)體展開因應(yīng)，是為了掌握存儲器主導(dǎo)權(quán)。近來同為韓系半導(dǎo)體大廠的三星電子(Samsung Electronics)已確保10納米制程技術(shù)，鞏固技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，而SK海力士的主力制程仍在20納米級。

　　南韓業(yè)界認(rèn)為，在難以縮短與三星間制程技術(shù)差距的情況下，SK海力士改以差別化尋找生存之道。而差別化的核心就在于PCRAM等次世代半導(dǎo)體。