SK海力士(SK Hynix)將PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存儲器芯片列為新成長動能，2015年會先決定要將次世代產品應用在何IT裝置上，以確定發展方向。
據南韓每日經濟報導，SK海力士表示將PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列為次世代半導體。2015年將先明確訂定產品制造方向，再著手研發合適的制程技術。
所謂的次世代半導體，是指DRAM、NAND Flash所代表的存儲器芯片，在功率、容量等規格升級的半導體產品。SK海力士與IBM、東芝(Toshiba)等攜手合作，以2~3年內商用化為目標進行研發。
與NAND Flash相比，PCRAM在一般資料讀寫速度方面快100倍以上，耐用性更提升1,000倍，SK海力士正與IBM合作進行研發。
SK海力士的STT-MRAM研發伙伴為日系大廠東芝。STT-MRAM是能以超高速、低功率驅動，即使不供應電力，也能保存資訊的非揮發性存儲器。此外，STT-MRAM可采用10納米以下制程。
SK海力士與惠普(HP)合作研發的ReRAM亦屬非揮發性存儲器，可應用在要求高速驅動、大容量、低功率的裝置上。
SK海力士迅速對次世代半導體展開因應，是為了掌握存儲器主導權。近來同為韓系半導體大廠的三星電子(Samsung Electronics)已確保10納米制程技術，鞏固技術領導力，而SK海力士的主力制程仍在20納米級。
南韓業界認為，在難以縮短與三星間制程技術差距的情況下，SK海力士改以差別化尋找生存之道。而差別化的核心就在于PCRAM等次世代半導體。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。