2010年7月14日， 北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內存)—一種高帶寬內存技術，能更有效的傳輸網絡信息。視頻內容、移動應用和云計算的蓬勃發展，對網絡基礎設施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數據。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3內存進一步提高了存儲密度和速度，同時最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網絡應用中性能更好。
美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說：“隨著互聯網內容消費的不斷增長，人們日益需要有一種能支持網絡流量增長的技術，美光的RLDRAM 3內存滿足了這種需求”。
對于現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供最高水平的技術支持，并計劃長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm工藝，提高系統性能，降低功耗。
RLDRAM 3內存產品特點
美光新的RLDRAM 3內存的主要特點及優點有：
·低延時：tRC不足10納秒，是業界最低的隨機存取延時
·高密度：576Mb-1Gb，靈活性高，可用于多種設計
·高速率：達2133Mb/s，數據存取速度更快
·高能效：1.2V IO和1.35V內核電壓，更省電
構建RLDRAM 合作伙伴網絡
美光維持著龐大的合作伙伴網絡，使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網絡設備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作，為客戶提供量身定制的解決方案，優化網絡系統性能。作為這個價值生態系統的一部分，美光目前合作的領先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內存可集成到其產品系列中。
Altera組件產品營銷資深總監Luanne Schirrmeister說：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數據通路，針對美光內存設有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內存的發布讓我們的內存帶寬可高達1600 Mbps，為行業內最高速度，大幅降低了延時。美光新的存儲產品搭配Altera新的內存接口架構是一項重要技術成果，是我們與美光多年技術合作的一項巔峰之作。”
Xilinx應用和技術營銷資深總監Rina Raman說：“Xilinx 7系列FPGA應用于最高級的網絡設備，用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作，支持其新的RLDRAM 3技術，讓我們的客戶能夠開發網絡平臺，來滿足最嚴格的基礎設施需求。”
產品可用性
美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣，目前正與客戶合作，征求其對RLDRAM 3內存設計的意見。此外，美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產品進行抽樣。
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關于美光科技(Micron Technology, Inc)
美光科技是世界領先的先進半導體解決方案提供商之一。美光依托全球性運營，制造和銷售一系列DRAM、NAND和NOR閃存、以及其他創新存儲技術、包裝解決方案和和半導體系統，用于前沿計算、消費、聯網和移動產品。美光的普通股在NASDAQ上市交易，代碼為MU。欲了解有關美光的更詳盡信息，請訪問www.micron.com。
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美光和美光軌道標識屬于美光商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。RLDRAM是Qimonda AG在許多國家的注冊商標，由美光使用，但須經Qimonda授權。
本新聞稿包含前瞻性陳述，涉及美光新的RLDRAM 3內存的生產以及和50 nm RLDRAM 2樣品的供應。實際情況或結果可能與前瞻性陳述大相徑庭。請綜合參閱美光不時在證券交易委員會存檔的文件，特別美光最新的10-K表和10-Q表。這些文件載有并明確指出了可能會使美光實際綜合業績與前瞻性陳述大不相同的重要因素(見某些因素摂)。雖然我們認為，前瞻性陳述反映的預期非常合理，但我們不能對未來結果、活動水平、業績或成就給予保證。
