蕭家順：計量技術與半導體技術創新。半導體技術進入奈米等級之量測需求，面臨相當多的挑戰。28奈米線寬量測重復性要求控制在0.2奈米內，超出目前量測儀器能力。并且產品蝕刻后之深度及形貌的實時量測，亦是目前的挑戰。而薄膜量測已非只專注傳統單純二氧化硅厚度，新材料如高介電系數或低介電系數之氧化層的標準厚度及組成特性之量測標準，是目前業界急需投入的課題。另外，磊晶的標準厚度及組成特性之量測標準亦是即將面對的挑戰。
產品缺陷偵測，在制程進入45奈米，表面粒徑偵測能力需求在35奈米內， 面臨量測儀器能力表面粒徑偵測能力不足的問題。
過去工研院量測中心在二氧化硅厚度及奈米線寬標準，均成功建立可讓業界追溯之標準。在未來更加挑戰的奈米制程控制要求，量測技術的發展將會日益嚴峻，若業界可藉由外界的量測服務支持，或透過合作發展的模式，將會是重要的競爭優勢。目前除線寬，二氧化硅厚度、形貌角度及缺陷標準之建立，是業界急需建立追溯之標準。
量測技術的發展，除了基礎的標準建立，技術咨詢的建立也是另一個課題。制程的控制除了誤差的控制，穩定度的精進，量測方法的精進必須透過專業的研究發展達成，也涵蓋了工程及統計技術的支持。若能在量測中心培養專業的人才， 建立良好的技術咨詢，對于業界有限的資源來說，是很大的幫助。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。