晶圓代工廠臺聯(lián)電2015年將擴大28nm產 能，以及加快14nm進入量產階段。臺聯(lián)電28nm布局于去年底獲得重大突破，制程良率沖高至9成后，公司旋即積極展開產能擴充，預計今年中月產能將可達 2萬片，毛利率達平均水準，下半年28nm占營收比重可望突破一成。聯(lián)電去年第四季28nm投片量大幅成長，包括聯(lián)發(fā)科、高通等五家客戶晶片已進入量產， 使其28nm占去年第四季營收比重達5%。
另外，臺聯(lián)電亦選擇采取跳過20nm直接跨入 14nm的發(fā)展策略，規(guī)劃月產能約3千片的14nm產線，預計將于今年第二季進行第2代14nm鰭式場效電晶體 (FinFET)制程試產，若下半年客戶產品順利完成設計定案(tape out)，則明年度將提前進入量產階段；另外，臺聯(lián)電亦預定10nm將于2016年試產。
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