嵌入式非易失性存儲器解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司，與中國最先進(jìn)的專業(yè)晶圓代工廠上海華力微電子公司（HLMC）日前共同宣布，雙方基于賽普拉斯55納米工藝節(jié)點(diǎn)的SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存技術(shù)的知識產(chǎn)權(quán)（IP），開發(fā)出可工作的硅光電池。這些硅光電池是為智能卡和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計。賽普拉斯的SONOS能帶來較低的晶圓和裸片成本，以及無與倫比的用于未來深入開發(fā)的可擴(kuò)展性。這一技術(shù)和設(shè)計IP將于2015年下半年提供給HLMC的大批量投產(chǎn)的客戶。

HLMC于2014年1月獲得了賽普拉斯55納米SONOS嵌入式非易失性存儲器（NVM）的工藝授權(quán)許可。該技術(shù)與其他嵌入式NVM方案相比具有顯著的優(yōu)勢。為了插入標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝，SONOS只需三層掩膜，而其他的嵌入式閃存技術(shù)則需要另外的9到12層。掩膜數(shù)量的減少意味著更低的制造成本。當(dāng)加入到CMOS工藝之后，SONOS并不改變標(biāo)準(zhǔn)的器件特性或模式，因而能保護(hù)已有的IP。SONOS具有與生俱來的高良率和業(yè)界最佳的可靠性，10年的數(shù)據(jù)保存期，10萬次編程、擦除壽命，以及對軟錯誤的強(qiáng)大容錯性能。賽普拉斯已成功展示了將SONOS擴(kuò)展至40納米和28納米節(jié)點(diǎn)的能力，從而加速了未來IP的開發(fā)進(jìn)程。

HLMC副總裁Jack Qi Shu說：“我們很高興能用賽普拉斯的55納米SONOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)這一里程碑式的突破。這將為我們的客戶帶來顯著的價值。SONOS是一項性價比很高的工藝，能實(shí)現(xiàn)很高的良率。其可靠性和效率對于批量很大的互聯(lián)網(wǎng)和智能卡應(yīng)用而言非常重要。”

賽普拉斯技術(shù)與知識產(chǎn)權(quán)事業(yè)部副總裁Sam Geha說：“我們與HLMC一起用SONOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)55納米硅光電池，充分證明了這一技術(shù)的可擴(kuò)展性和設(shè)計便利性，以及HLMC在制造領(lǐng)域的專長。SONOS的低成本、高性能和可靠性對于快速成長的智能卡、物聯(lián)網(wǎng)市場、銀行卡、可穿戴電子設(shè)備和其他邏輯主導(dǎo)的產(chǎn)品而言，是非常理想的選擇。賽普拉斯將和HLMC這樣的市場領(lǐng)先者精誠合作，使SONOS成為業(yè)界嵌入式非易失性存儲器平臺的首選。”