日前，德州儀器(TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻MOSFET。該最新系列FemtoFET™ MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足100 毫歐的導通電阻。如欲了解更多詳情，訂購樣片與SPICE 模型，敬請訪問：www.ti.com.cn/femtofet-pr-cn。
三個N 通道及三個P 通道FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列(LGA) 封裝，與芯片級封裝(CSP) 相比，其可將板積空間銳減40%。CSD17381F4與CSD25481F4支持不足100 毫歐的導通電阻，比目前市場上類似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超過4000V 的人體模型(HVM) 靜電放電(ESD) 保護。點擊這里觀看視頻。
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部件號 |
通道 |
BVdss (V) |
Vgs (V) |
典型導通電阻（歐姆） |
Id（Ta = 25°C 時） (A) |
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1.8V |
2.5V |
4.5V |
|||||
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N |
30 |
12 |
160 |
110 |
90 |
3.1 |
|
|
N |
30 |
12 |
370 |
240 |
200 |
1.5 |
|
|
N |
12 |
8 |
310 |
170 |
140 |
2.1 |
|
|
P |
-20 |
-12 |
395 |
145 |
90 |
-2.5 |
|
|
P |
-20 |
-12 |
580 |
338 |
210 |
-1.6 |
|
|
P |
-12 |
-8 |
480 |
250 |
150 |
-2.3 |
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FemtoFET MOSFET 歸屬TI NexFET 功率MOSFET產品系列，該系列還包括適用于手機等便攜式應用的CSD25213W10P 通道器件以及CSD13303W1015N 通道器件等。TI 提供LP5907大電流低壓降(LDO) 線性穩壓器以及TPS65090前端電源管理單元(PMU) 等各種系列的電源管理產品，可為手持應用節省板級空間，降低功耗。
FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優勢
· 不足100 毫歐的導通電阻比類似器件低70%，可節省電源，延長電池使用壽命；
· FemtoFET 0.6 毫米× 1.0 毫米× 0.35 毫米的LGA 封裝比標準CSP 小40%；
· 1.5A 至3.1A 的持續漏極電流值與當前市場類似尺寸器件相比，可提供超過2 倍的性能。
供貨情況
FemtoFET MOSFET 器件現已開始批量供貨，可通過TI 及其授權分銷商進行訂購。
了解更多詳情：
· 采用TI WEBENCH 電源設計工具在線設計完整的電源管理系統；
· 從TI PowerLab™ 參考設計庫下載電源參考設計。
· 訪問德州儀器在線技術支持社區咨詢問題：www.deyisupport.com。