北京時間12月27日消息，中國觸摸屏網(wǎng)訊，常憶科技以開發(fā)P型電晶體非揮發(fā)性記憶體技術(shù)為主，其pFusion嵌入式快閃記憶體智財電路(IP)，分別以能跟一般主控晶片邏輯製程相容、中小儲存容量的e2Logic IP，以及單元面積小、大儲存容量的e2Flash IP技術(shù)兩大類，可以廣泛應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、機(jī)聯(lián)網(wǎng)(M2M)、嵌入式SoC設(shè)計、微控制器、智能卡以及觸控IC的設(shè)計應(yīng)用。也因此獲得美商硅成(ISSI)的青睞，于今(2012)年7月併購并成為集團(tuán)下非揮發(fā)性事業(yè)部。
    常憶科技于今(2012)年7月為美商硅成(Integrated Silicon Solution, Inc.；ISSI)併購，并成為集團(tuán)下非揮發(fā)性記憶體事業(yè)部。現(xiàn)任美商硅成半導(dǎo)體pFusion事業(yè)處副總經(jīng)理張有志，介紹創(chuàng)始于1995年的常憶科技，是P型電晶體非揮發(fā)性記憶體的開發(fā)先驅(qū)，旗下有pFlash和pFusion兩個事業(yè)單位組成。
    pFlash開發(fā)和生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型NOR記憶體，pFusion負(fù)責(zé)將嵌入式非揮發(fā)記憶體智財(IP)授權(quán)給晶圓代工廠及IC設(shè)計公司，用于生產(chǎn)微控制器(MCU)、單晶片系統(tǒng)(SoC)、智慧卡，并提供客製化設(shè)計及技術(shù)諮詢服務(wù)。
    他指出，常憶在pFusion內(nèi)嵌快閃記憶體的儲存單元設(shè)計上，採用專利的雙電晶體PMOS和band-to-band-tunnel(BTBT)的資料寫入機(jī)制，可確保最佳的擦寫與讀取性能、智財面積的最小化、以及最短的測試時間，目前已廣泛應(yīng)用于消費性電子產(chǎn)品、電腦及其周邊、無線通訊、網(wǎng)路裝置以及工業(yè)控制等。
    接下來他介紹pFusion的關(guān)鍵功能，e2Flash高密度內(nèi)嵌快閃記憶體在觸控處理器的應(yīng)用，F(xiàn)lash KGD(Known Good Die)在觸控晶片與驅(qū)動IC單晶片SoC的搭配，以及e2Logic在觸控晶片與驅(qū)動IC單晶片SoC的使用。
    張有志指出，目前晶圓廠代工Flash製程，大多是傳統(tǒng)N型電晶體(NMOS)製程技術(shù)，據(jù)此再細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn)邏輯／高電壓製程(Standard Logic/HV)以及雙層多晶硅製程(Double Poly)，常憶的pFusion則以2T-P型電晶體(PMOS)製程技術(shù)為根基，再以此區(qū)分出採標(biāo)準(zhǔn)邏輯製程的e2Logic以及採雙層多晶硅製程的e2Flash。無論是e2Logic或e2Flash，皆能客製化達(dá)到低讀寫功耗或快速讀寫的客戶需求。
    e2Logic與主控邏輯製程相容，無須附加多馀光罩製程，針對低密度4KB以下，提供長達(dá)10年儲存時間與10萬次抹寫耐受度，并可在IP上設(shè)計成以一次性寫入(OTP)做程式碼儲存，及多次性寫入EEPROM做數(shù)據(jù)儲存的配置，以達(dá)到面積最佳化。
    e2Flash則具備超小儲存單元、8KB以上較大的儲存空間應(yīng)用，可達(dá)到10年儲存時間與10萬次抹寫耐用度，并在設(shè)計上可做為Flash或EEPROM不同頁面大小的儲存需求的彈性配置之用。
    張有志進(jìn)一步介紹e2Flash內(nèi)嵌快閃記憶體技術(shù)細(xì)節(jié)。e2Flash單元由PMOS的控制閘、浮閘(Floating Gate)組成，寫入電流量每單元低于0.1微安培(<0.1μA/cell)，單一字組的程式化時間低于20μs，區(qū)塊抹除時間低于2ms，能提供長達(dá)10年保存期限與至少10萬次抹寫週期。
    同時相較于傳統(tǒng)單晶體(1T) Flash在連續(xù)程式化時，其鄰近的單元會受到連帶干擾，而e2Flash的程式化／抹寫採取雙晶體(2T)設(shè)計，其儲存單元不會受連續(xù)抹寫的干擾而失效。
    張有志指出e2Flash的單元結(jié)構(gòu)，無論從早期的0.35μm(微米)到近期的65nm(奈米)製程，都是維持不變，因此e2Flash可隨著製程的轉(zhuǎn)移快速導(dǎo)入量產(chǎn)并縮減晶粒面積／成本。0.18um製程的2P/3M，單元面積僅0.57平方微米；0.13um製程下的單元面積降至0.3平方微米，預(yù)計2014年切入65nm製程下的單元面積將微縮到僅0.1平方微米。
    張有志總結(jié)e2Flash的優(yōu)勢，在于跟主控邏輯製程相容，以相同0.18微米製程下，電路面積比業(yè)界縮減15%~40%，并具備業(yè)界最佳耐用度，低于4ppm的高供貨品質(zhì)與信賴度，目前0.18μm的e2Flash已經(jīng)在幾家晶圓代工廠量產(chǎn)，而0.13μm e2Flash也正進(jìn)行少量試產(chǎn)。
    張有志提到，在觸控面板的組成元件中，有兩個關(guān)鍵集成電路IC，一個是位于觸控面板內(nèi)部的ITO薄膜、ITO玻璃與觸控面板之間的觸控IC，另一個則是在TFT LCD面板之上的驅(qū)動IC(LCD Driver IC)，現(xiàn)有最通常的做法是用高壓的LCD driver製程生產(chǎn)driver IC，及使用e2 Flash或其他嵌入式快閃記憶體(embedded flash)製程生產(chǎn)觸控IC。
    未來有些IC設(shè)計公司可能朝結(jié)合driver IC與觸控IC成單一晶片SoC，將觸控IC與LCD驅(qū)動IC要整合成單一SoC晶片時，一種方式是採高電壓製程(HV Process)生產(chǎn)驅(qū)動IC及觸控IC并外接KGD(Known Good Die) Flash，如此可避免在高壓的LCD驅(qū)動IC製程上，再加上多層光罩製造Flash的IP電路。
    另一種將觸控IC與LCD驅(qū)動IC要整合成單一SoC晶片時，如果無須使用到大量的快閃記憶體儲存，張有志建議使用可搭配既有高電壓邏輯製程(HV Logic Process)的e2Logic嵌入式快閃記憶體IP。
    他指出，以e2Logic的IP設(shè)計LCD驅(qū)動與觸控二合一SoC的優(yōu)勢，在于可搭配成熟的高電壓製程，無須外接的KGD Flash記憶體，也無須多加額外的快閃記憶體光罩，而唯一缺點是，如果客戶需要大容量的Flash儲存容量，e2Logic IP的面積可能比較大。
    綜括前述多種觸控IC的常用方桉，包含：1. 獨立式觸控IC，需使用較大的Flash儲存容量，使用e2Flash雙層多晶硅的製程；2. 使用標(biāo)準(zhǔn)HV LCD driver製程，生產(chǎn)結(jié)合driver IC及觸控IC的SoC，并在封裝時外加pFlash KGD；3. 使用標(biāo)準(zhǔn)HV LCD driver製程，并加入e2Logic IP，生產(chǎn)出結(jié)合driver +觸控+Flash IP的SoC。無論哪一種設(shè)計，ISSI/pFusion皆可依客戶的需求，提供適當(dāng)?shù)慕鉀Q方桉。