橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布其在28納米FD-SOI技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。

    FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺和設(shè)計(jì)流程。技術(shù)平臺包括全套的基礎(chǔ)程式庫（標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲器生成器、I/O、AMS IP以及高速接口）；設(shè)計(jì)流程適合開發(fā)高速的高能效器件。

     較傳統(tǒng)制造技術(shù)，F(xiàn)D-SOI技術(shù)可在大幅提升性能的同時(shí)大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選擇采用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)設(shè)計(jì)未來的移動(dòng)平臺。

     意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、數(shù)字產(chǎn)品部總經(jīng)理兼首席技術(shù)與制造官Jean-Marc Chery表示：“在產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體在很久以前就開始探索新的解決方案。FD-SOI技術(shù)的投產(chǎn)，使意法半導(dǎo)體再次躋身全球最具創(chuàng)新力的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)制造企業(yè)之列，后端晶圓測試證明，較傳統(tǒng)制造技術(shù)，F(xiàn)D-SOI在性能和功耗方面具有明顯優(yōu)勢，讓我們能夠在28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)創(chuàng)建高成本效益的工業(yè)解決方案。ST-Ericsson的NovaThor ModAp的最大處理頻率超過2.5Ghz，在0.6V時(shí)達(dá)到800MHz，對該平臺的子系統(tǒng)的測試證明，該技術(shù)符合設(shè)計(jì)預(yù)期，具有靈活性和寬電壓范圍，可支持電壓和頻率動(dòng)態(tài)調(diào)整（DVFS）。”

     與制造成功同等重要的是，意法半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)了從28納米傳統(tǒng)CMOS制程（Bulk CMOS）向28納米FD-SOI移植代碼庫和物理IP的簡單方法，由于沒有MOS歷史效應(yīng)，用傳統(tǒng)CAD工具和方法設(shè)計(jì)FD-SOI數(shù)字系統(tǒng)級芯片的過程與設(shè)計(jì)體效應(yīng)器件完全相同。FD-SOI能夠用于制造高能效的器件，必要時(shí)，動(dòng)態(tài)體偏壓能讓器件立即進(jìn)入高性能模式，而其余時(shí)間保持在低泄漏電流模式，這些對于應(yīng)用軟件、操作系統(tǒng)和高速緩存系統(tǒng)都完全透明。較體效應(yīng)CMOS制程技術(shù)，F(xiàn)D-SOI可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能及低工作電壓，并擁有非常出色的能效。

關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù)，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全，從醫(yī)療健身設(shè)備，到智能消費(fèi)電子，從家電、汽車，到辦公設(shè)備，從工作到娛樂，意法半導(dǎo)體的微電子器件無所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。