Vishay Siliconix最新推出的12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了業內最低的導通電阻
2010-01-05
作者：Vishay
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝，將業內最好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了一半。
SiB455EDK具有超低的導通電阻，在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的導通電阻分別為27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ，比前一代領先的12V P溝道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的導通電阻分別低55%、52%和39%。
該MOSFET可用做手機、智能手機、PDA和MP3播放器等手持設備中的負載、功放和電池開關。SiB455EDK的低導通電阻意味著更低的導通損耗，小尺寸的PowerPAK SC-75封裝能夠將節省下來的空間用于實現其他功能，或是讓終端產品變得更加小巧。
新器件也是僅有的同時具有10V柵源電壓和可在1.5V電壓下導通的12V MOSFET，因此該器件可用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓引起柵極驅動電壓波動的應用中，同時也為更小的輸入電壓提供更安全的設計。
為減少由ESD引起的現場故障，器件的典型ESD保護電壓高達1500V。MOSFET符合IEC 6
新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，將在2010年第一季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為14周到16周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。