近日，恒憶（Numonyx）發布業內首款采用45納米工藝技術的多級單元（MLC）NOR閃存樣片。在為客戶提供高度的產品連續性和可靠性的同時，新產品發布還使恒憶能夠大幅度提高存儲產品的性能。新產品遙遙領先上一代65nm產品，是當前市場上最先進的NOR閃存。恒憶NOR閃存芯片廣泛用于手機，運行關鍵的手機操作系統，管理個人數據，存儲相片、音樂和視頻。

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　　這款45nm的1兆位(Gb)單片閃存基于Numonyx^TM StrataFlash? 存儲器架構，引腳兼容恒憶目前量產的65nm NOR閃存芯片。產品架構的兼容性和連續性使手機原始設備制造商能夠降低開發成本，延長現有產品平臺的生命周期，利用大容量存儲和速度更快的存儲器“立即執行”功能，加快向市場推出新產品的速度。與上一代產品相比，新技術將數據寫入速度提高50%。

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　“手機存儲市場還有很大的空間，升級閃存制造技術的迫切要求依然來自市場對高密度、低成本非易失性NOR閃存的需求，”恒憶首席技術官Ed Doller表示，“通過開發新的工藝技術，在業內最先進的45nm技術平臺上制造第7代MLC NOR閃存，恒憶工程師克服了技術升級的主要限制，率先為客戶帶來性價比優勢。”

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　　在如何設計新一代NOR閃存技術方面，恒憶取得了一項重大設計突破。新產品采用一個新的自對準接觸(SAC)方法，在保持與過去產品兼容以及高度可靠性和產品質量的同時，這種方法還使恒憶閃存產品得以不斷升級。“當整個行業還在設法解決閃存技術的升級能力的時候，恒憶推出的產品無論從架構還是連續性上都達到甚至超過了客戶對成本和可靠性的要求，這確實是一項了不起的成就，”Doller表示。

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　　恒憶正在一定的密度和數量范圍內檢測新產品樣片，計劃今年推出采用這項新技術的產品。預計2010年開始量產。恒憶還計劃將此項技術部署到所有的嵌入式閃存解決方案中，把連續性架構的性能優點以及穩定性和可靠性擴展到主要嵌入式市場。?

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關于恒憶 (Numonyx)?

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　　恒憶設計、制造各種集成的NOR、NAND、RAM和相變非易失性存儲技術和產品，以滿足無線、數據和嵌入式存儲器市場日趨復雜的需求。恒憶致力于為全球客戶提供高密度、低功耗存儲技術和封裝解決方案。更多恒憶公司詳情敬請訪問 www.numonyx.com?