《電子技術(shù)應(yīng)用》
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TI FRAM微控制器為WSN帶來福音

2011-06-16
作者:電子技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)記者:陳穎瑩

    德州儀器(TI)的MSP430是業(yè)界知名的超低功耗微控制器(MCU),它不斷地添加新的家族成員,以滿足新的應(yīng)用需求。無線傳感器網(wǎng)絡(luò)(WSN)絕對是近幾年最熱門的應(yīng)用之一,能讓我們的世界變的更加智能,這需要更多的傳感器以及通過傳感器實時采集更多的數(shù)據(jù)并遠(yuǎn)程更新。現(xiàn)有的單片機技術(shù)很難滿足這些應(yīng)用,而傳感器供電問題和Flash擦寫次數(shù)則更是大的難題。TI新型MSP430FR57xx FRAM系列是目前解決以上問題的最佳方案。五四青年節(jié),TI MSP430 中國區(qū)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理刁勇先生帶著業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)MCU與記者見面,分享了該新系列的獨特性能。

圖1 TI MSP430 中國區(qū)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理刁勇先生

高速、節(jié)能、靈活

    與基于Flash和EEPROM的微控制器相比,該FRAM系列可確保100倍以上的數(shù)據(jù)寫入速度和250倍的功耗降幅。當(dāng)從FRAM中執(zhí)行代碼時,可將目前業(yè)界最佳功耗水平降低50%以上,工作流耗為100 μA/MHz(主動模式)和3μA(實時時鐘模式)。FRAM的擦寫次數(shù)可以超過100萬億次,對很多應(yīng)用而言,這樣的擦寫次數(shù)幾乎是不受限制的。FRAM是非易失性存儲器,在所有電源模式中均可提供數(shù)據(jù)保存能力。有了FRAM,就不必再采用單獨的EEPROM 和依賴電池供電的SRAM,可利用軟件輕松完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū),通過一個16 KB 通用型FRAM實現(xiàn)應(yīng)用的靈活性。

表1 FRAM與SRAM\EEPROM、閃存的性能比較

    此外,MSP430FR57xx FRAM微控制器的其他一些性能也使其特別適用于WSN等相關(guān)領(lǐng)域:實現(xiàn)了可靠的遠(yuǎn)程軟件升級,特別是可以實現(xiàn)空中升級;眾多由TI提供的兼容型射頻(RF) 工具可簡化系統(tǒng)開發(fā)工作;可實現(xiàn)無電池的智能型RF連接解決方案。

滿足傳感器記錄和遠(yuǎn)程更新

    由上述特點可知,新型MSP430FR57xx FRAM系列可以解決傳感器網(wǎng)絡(luò)的幾大挑戰(zhàn)。刁勇先生一一向記者進行了介紹和舉例。

(1)傳感器供電。功耗對傳感器的安放地點有所限制,而在WSN的應(yīng)用中,往往需要把傳感器部署在橋梁等沒有交流電的場合,為了讓傳感器有足夠能量去采集數(shù)據(jù),一種解決方案是用電池,可是電池都存在壽命的問題。而FRAM能量收集技術(shù)以及超低功耗的特性最大限度地延長電池的使用壽命,使得能在更多的地點安放更多的傳感器。

(2)實時采樣。目前的單片機主要以Flash技術(shù)為主,它有一個問題,F(xiàn)lash擦寫次數(shù)的量級大概幾萬或幾十萬量級,如果要實時采集數(shù)據(jù),把這些數(shù)據(jù)存入Flash中,等到一定周期再傳輸出去,F(xiàn)lash的壽命是一個大問題。刁勇解釋到,TI做了一個計算,如果做連續(xù)的采樣,且采樣頻率比較高,F(xiàn)lash要每秒采樣20個數(shù)據(jù),然后不斷更新數(shù)據(jù),在這個條件下,現(xiàn)在Flash的使用壽命大概在10 min以內(nèi)。所以如果要實現(xiàn)連續(xù)大量數(shù)據(jù)采樣,擦寫次數(shù)超過100萬億次的FRAM是一個很好的選擇。

(3)無線遠(yuǎn)程更新。為了更有說服力,刁勇向記者展示了一個電子紙,用來顯示商品條形碼和價格。該電子紙一側(cè)是基于FRAM的控制器和無線模塊,另一側(cè)的模塊存儲著更新的數(shù)據(jù),通過無線發(fā)射更新價格信息。如果數(shù)據(jù)不斷更新,用不了多久,F(xiàn)lash壽命就會耗光。而FRAM的擦寫次數(shù)為100萬億次,所以可以長久使用。用這種電子紙作為價格標(biāo)簽已經(jīng)在美國的超市中普遍使用了。價格標(biāo)簽組成了一個傳感器網(wǎng)絡(luò),它的價格信息變化是通過無線網(wǎng)絡(luò)實時更新。MSP430FR57xx就特別適用于類似的應(yīng)用中。

FRAM將拓展到其他MCU

    MSP430FR57xx目前最高只有16 KB 的FRAM,但是足以蠻足WSN的一些應(yīng)用,未來根據(jù)不同需求,會有采用更大的FRAM的MPS430系列。此外,由于看到了FRAM如此多的優(yōu)勢,TI也已經(jīng)考慮將FRAM應(yīng)用在其他的MCU中,如TMS320C2000系列。

    刁勇還透露,F(xiàn)RAM雖然是Ramtron公司的產(chǎn)品,但是是由TI的工廠代工的,所以兩家公司有很好的合作,TI也十分了解FRAM,對FRAM性能的完善功不可沒。TI其實為MSP430FR57xx這款產(chǎn)品已經(jīng)準(zhǔn)備了近4年的時間,克服了很多困難,例如制程問題,F(xiàn)R57xx MCU是基于TI先進的低功耗、130 nm嵌入式FRAM工藝。但FRAM還是有一個不可回避的缺陷:在波峰焊時,如果溫度高于260攝氏度,F(xiàn)RAM中的數(shù)據(jù)就不可靠了,所以生產(chǎn)的時候要特別注意。

    MSP430FR57xx系列突破了現(xiàn)有的存儲器功耗及可寫入次數(shù)限制,從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻通信能力進入了一個新時代。

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