LDMOS 相關(guān)文章(20篇)
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東芝和日本半導(dǎo)體提出新方法 可優(yōu)化LDMOS中的HBM容差并抑制導(dǎo)通電阻
發(fā)表于：6/17/2021 3:09:18 PM
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埃賦隆宣布面向ISM應(yīng)用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管
發(fā)表于：5/12/2019 9:11:01 PM
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埃賦隆宣布面向ISM應(yīng)用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管
發(fā)表于：5/11/2019 7:25:51 PM
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埃賦隆宣布面向ISM應(yīng)用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管
發(fā)表于：5/8/2019 5:25:04 PM
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AI芯天下 | 技術(shù)：硅基氮化鎵，5G時(shí)代的倚天劍
發(fā)表于：10/18/2018 6:00:00 AM
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5G發(fā)展將帶動(dòng)RF功率元件需求成長(zhǎng)
發(fā)表于：8/8/2017 5:00:00 AM
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GAN將逐漸取代LDMOS
發(fā)表于：7/30/2017 5:00:00 AM
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高速1553總線分立器件收發(fā)器設(shè)計(jì)
發(fā)表于：12/23/2016 3:17:00 PM
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當(dāng)硅基代替碳化硅 氮化鎵變得無(wú)可挑剔
發(fā)表于：4/26/2016 11:30:00 AM
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MACOM推出用于無(wú)線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列
發(fā)表于：2/24/2016 11:53:00 PM
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MACOM宣稱將打破氮化鎵大規(guī)模商用壁壘
發(fā)表于：11/5/2015 1:45:00 PM
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科銳與RFHIC 公司達(dá)成關(guān)鍵Doherty放大器專利許可協(xié)議
發(fā)表于：12/20/2011 2:39:17 PM
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電平位移電路應(yīng)用于負(fù)電源的設(shè)計(jì)
發(fā)表于：8/23/2011 12:00:00 AM
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IR堅(jiān)固可靠的高壓柵級(jí)驅(qū)動(dòng)IC采用PQFN4x4封裝減少高達(dá)85% 占位面積
發(fā)表于：6/28/2011 12:58:44 PM
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采用BCDMOS技術(shù)的電流模降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器功率級(jí)設(shè)計(jì)
發(fā)表于：6/27/2011 2:14:00 PM
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恩智浦正式啟動(dòng)高性能射頻設(shè)計(jì)大賽
發(fā)表于：1/26/2011 7:02:53 PM
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寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)
發(fā)表于：1/2/2011 12:00:00 AM
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布中國(guó)首個(gè)0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程及其對(duì)應(yīng)的先進(jìn)設(shè)計(jì)工具包
發(fā)表于：12/17/2010 5:28:06 PM
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飛思卡爾新RF功率產(chǎn)品降低了面向多載波無(wú)線基站的放大器復(fù)雜性和運(yùn)營(yíng)成本
發(fā)表于：10/8/2010 8:49:40 AM
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恩智浦發(fā)布120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻晶體管
發(fā)表于：9/29/2010 10:19:14 AM
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