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三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年
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意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出18nm FD-SOI工藝
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)年底提供自研32層堆疊3D NAND閃存樣品
發(fā)表于：4/13/2017 6:00:00 AM
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三星18nm工藝DRAM芯片惹禍了
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