微波射頻相關文章 俄羅斯首款重型攻擊無人機完成了試飛與著陸 公告說，名為“獵人”的重型長航時攻擊無人機于莫斯科時間3日12時20分（北京時間3日17時20分）在國防部下屬某試飛機場開始首飛。飛行持續了20多分鐘。無人機在操作員的控制下以600米高度圍繞機場飛行數周，隨后完成了著陸。 發表于：2019/8/16 氮化鎵半導體材料在5G時代的應用前景 氮化鎵，分子式為GaN，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 發表于：2019/8/11 氮化鎵在射頻領域的優勢盤點 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。 發表于：2019/8/11 射頻氮化鎵市場前景分析 據麥姆斯咨詢介紹，近年來，GaN憑借高頻下更高的功率輸出和更小的占位面積，被射頻行業大量應用。在電信基礎設施和國防兩大主要市場的推動下，預計到2024年RF GaN整體市場規模將增長至20億美元。 發表于：2019/8/11 電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展 專利之爭全面開啟 電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出，RF GaN產業于2017~2023年間的年復合增長率達到23%。隨著工業不斷地發展，截至2017年底，RF GaN市場產值已經接近3.8億美元，2023年將達到13億美元以上。 發表于：2019/8/11 RF GaN市場蓬勃發展的關鍵是什么？ 據麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產業經歷了驚人的高增長。根據Yole最近發布的《射頻氮化鎵技術、應用及市場-2019版》報告，在無線基礎設施和國防兩大主要應用的推動下，RF GaN整體市場規模到2024年預計將增長至20億美元。 發表于：2019/8/11 《射頻（RF）氮化鎵技術及廠商專利全景分析-2019版》 近年來，RF GaN市場的發展令人印象深刻，重塑了RF功率器件的產業格局。在電信和國防應用的推動下，RF GaN行業將持續增長，而隨著5G應用的到來，RF GaN市場將加速發展。據麥姆斯咨詢介紹，RF GaN市場總規模預計將從2017年的3.8億美元到2023年增長到13億美元。 發表于：2019/8/11 一文知道RF GaN市場蓬勃發展的關鍵 據麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產業經歷了驚人的高增長。根據Yole最近發布的《射頻氮化鎵技術、應用及市場-2019版》報告，在無線基礎設施和國防兩大主要應用的推動下，RF GaN整體市場規模到2024年預計將增長至20億美元。 發表于：2019/8/11 華裔科學家：領銜全球首個實時解碼大腦信號項目 馬斯克的腦機接口新突破公布沒多久，Facebook的腦機革命又邁出重要一步。Facebook與加利福尼亞大學舊金山分校華裔教授團隊合作，已打造一個腦機接口，可以實時從大腦信號解碼問答對話。這是全球首個實時解碼大腦信號的問答語音的項目，或可用到增強現實眼鏡中。 發表于：2019/8/2 基于MOCVD生長材料的高電流密度太赫茲共振隧穿二極管 為獲得高功率的太赫茲共振隧穿器件，優化設計了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二極管材料結構，在國內首次采用MOCVD設備在半絕緣InP單晶片上生長了RTD外延材料。利用接觸光刻工藝和空氣橋搭接技術，制作了InP基共振遂穿二極管器件。并在室溫下測試了器件的電學特性： 峰值電流密度＞400 kA/cm2， 峰谷電流比(PVCR)＞2.4。 發表于：2019/8/1 基于VO2相變特性的THz波動態調控研究進展 太赫茲(Terahertz，THz)波位于光子學向電子學的過渡區域，在高速寬帶通信、雷達、成像等領域具有重要應用前景。但目前用于THz波動態調控的器件仍比較缺乏，這在一定程度上限制了THz技術的發展。VO2具有獨特的金屬—絕緣體相變特性，相變過程可以應用于動態調控THz波傳輸。探索超材料與VO2結合以制備高效、動態、靈活的太赫茲功能器件也是近來的研究熱點。簡述了VO2的相變特性，并分析了微觀結構和化學成分等因素對相變特性的影響；系統回顧了VO2薄膜相變過程中的THz波調控性能研究進展，總結了VO2與超材料不同結合方式在THz波動態調控方面的應用；并對基于VO2相變特性的THz波調控功能器件發展前景與挑戰進行了展望。 發表于：2019/7/31 太赫茲固態放大器研究進展 隨著半導體技術的發展，晶體管特征頻率不斷提高，已經進入到太赫茲（THz）頻段，使得固態器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號進行放大，在THz系統中起著關鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP異質結雙極晶體管/雙異質結雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進展。 發表于：2019/7/31 毫米波人體掃描儀市場： 過去、現在和未來 全身掃描儀已經成為全球安全與威脅檢測工具包的重要組成部分。隨著射頻、微波和毫米波技術的不斷發展進步，利用這種技術的全身掃描儀也變得流行起來。全身掃描解決方案的總體接受程度在很大程度上取決于其性能、設計和商業可行性。本文討論了這些全身掃描儀的系統集成商如何做出正確的技術設計和合作伙伴選擇，從而更自信地為這個快速增長的市場提供商業上可行的解決方案。 發表于：2019/7/30 Silicon Labs利用軟件定義無線電技術 提升廣受歡迎的Si479xx汽車調諧器系列產品 中國，北京 - 2019年7月30日 - Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）為領先的汽車收音機解決方案供應商，日前宣布推出新型數模混合一體化軟件定義無線電（SDR）調諧器，擴展其產品組合使得單個通用平臺上能支持全球所有數字收音機標準以滿足汽車收音機制造商不斷增長的需求。新型Si479x7器件是Silicon Labs首款支持Digital Radio Mondiale（DRM）標準的汽車收音機調諧器。Si479x7調諧器是Silicon Labs廣受歡迎的Global Eagle和Dual Eagle AM/FM接收器和數字收音機調諧器系列產品的擴展，提供同樣出色的路試性能、單雙調試器兼容的引腳定義和封裝、以及物料清單（BOM）成本優勢。 發表于：2019/7/30 復數RF混頻器、零中頻架構及高級算法： 下一代SDR收發器中的黑魔法 RF工程常被視為電子領域的黑魔法。它可能是數學和力學的某種奇特組合，有時甚至僅僅是試錯。它讓許多優秀的工程師不得其解，有些工程師僅了解結果而對細節毫無所知。現有的許多文獻往往不建立基本概念，而是直接跳躍到理論和數學解釋。 發表于：2019/7/24 ?…31323334353637383940…?
