| 40nm與45nm工藝節點下的功耗分析 | |
| 所屬分類：參考設計 | |
| 上傳者：nuanyangyang | |
| 文檔大小：1630 K | |
| 標簽： 工藝技術 | |
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| 文檔介紹：在40nm和45nm工藝節點，功耗已經成為FPGA選擇的頭號因素，本白皮書揭示了賽靈思如何設計最新推出的Spartan®-6 (45 nm)和Virtex®-6 (40 nm) FPGA系列，使其動態功耗比其上代 Spartan-3A和 Virtex-5 器件降得更多。如此大幅度地降低功耗需要很多工程創新，在40nm和45nm節點，晶體管呈指數級漏電流增長，使靜態功耗成為主要挑戰，此外，對高性能的追求驅使內核時鐘頻率更高，又增加了動態功耗，本白皮書揭示了了賽靈思如何在Spartan-6 和Virtex-6 FPGA上通過工程創新解決了這些挑戰。 | |
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