| 相變存儲器：基本原理與測量技術 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：keithley | |
| 文檔大小：300 K | |
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| 文檔介紹：相變存儲器（可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM）是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實現(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文將為您介紹相變存儲器的基本原理及其最新的測試技術。 | |
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