| 一種Ku頻段高密度集成的陶瓷SiP封裝R組件的設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：7248 K | |
| 標(biāo)簽： 有源相控陣 Ku頻段 SIP | |
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| 文檔介紹：針對(duì)機(jī)載衛(wèi)星通信天線尺寸小、重量輕、可靠性強(qiáng)的需求，結(jié)合多層陶瓷轉(zhuǎn)接板布線靈活、重量輕的特點(diǎn)，BGA封裝I/O口多、體積小的優(yōu)勢(shì)，提出了一種基于HTCC工藝SiP-BGA封裝架構(gòu)的2×4通道Ku頻段雙極化R組件的設(shè)計(jì)方法。利用電磁仿真軟件對(duì)組件中高密度射頻垂直過渡互聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真設(shè)計(jì)，同時(shí)設(shè)計(jì)了一款小型化薄膜功分器，以實(shí)現(xiàn)4通道接收信號(hào)的合成；此外，為確保組件的射頻性能及工程可實(shí)現(xiàn)性，對(duì)整個(gè)組件的通道隔離度、散熱性進(jìn)行了仿真計(jì)算；最后研制出小型化、高集成度的2×4通道Ku頻段R組件，其體積為13 mm×12.5 mm×2.5 mm，重量小于4 g。組件電性能測(cè)試結(jié)果與仿真設(shè)計(jì)結(jié)果吻合良好，測(cè)試結(jié)果表明，該組件在10~12.8 GHz頻段內(nèi)合成增益大于23 dB，輸入P-1dB不小于-5 dBm。 | |
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