| 基于0.35 μm CMOS工藝的高溫高壓LDO芯片設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：1053 K | |
| 標(biāo)簽： LDO CMOS 高溫高壓 | |
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| 文檔介紹：基于X-FAB xa 0.35 μm CMOS工藝，首先采用Cascode電流鏡和高壓管，設(shè)計(jì)了一種具有高電源抑制比且無需額外提供偏置模塊的高溫高壓基準(zhǔn)電路，在輸入電壓為5.5 V～30 V、工作溫度為-55 ℃～175 ℃時(shí)，可獲得穩(wěn)定的0.9 V基準(zhǔn)電壓。接著針對(duì)負(fù)反饋環(huán)路的穩(wěn)定性問題，根據(jù)動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償原理設(shè)計(jì)了一種新的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路，使系統(tǒng)在全負(fù)載變化范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。同時(shí)配合其他過溫保護(hù)、過壓保護(hù)、過流保護(hù)和邏輯控制等電路模塊，完成一款面積為2.822 3 mm2的高溫高壓低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)芯片的設(shè)計(jì)。 | |
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