一種高耐壓SPST天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：zhoubin333
文檔大小：586 K
標(biāo)簽： SPST天線調(diào)諧開(kāi)關(guān) 非均勻堆疊結(jié)構(gòu) 兩級(jí)偏置網(wǎng)絡(luò)
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文檔介紹： 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款高耐壓?jiǎn)蔚秵螖S天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)，用于Sub-6 GHz的天線孔徑調(diào)諧、阻抗調(diào)諧以及寬帶開(kāi)關(guān)。設(shè)計(jì)采用串-并聯(lián)和體區(qū)自適應(yīng)偏置結(jié)構(gòu)，兼顧插入損耗和隔離度；此外基于傳統(tǒng)的堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，通過(guò)設(shè)計(jì)各級(jí)晶體管的尺寸不均勻，極大程度地提高了開(kāi)關(guān)并聯(lián)支路承受電壓的能力；通過(guò)采用兩級(jí)偏置網(wǎng)絡(luò)，減小了柵端和體端的泄露從而削弱關(guān)斷狀態(tài)下寄生電容不等效應(yīng)，最終實(shí)現(xiàn)支路電壓耐受能力的提高。所提出的設(shè)計(jì)采用130 nm SOI CMOS工藝，仿真結(jié)果表明工作頻率為0.1 GHz~5 GHz，導(dǎo)通電阻為1.24 Ω，關(guān)斷電容為112 fF，插入損耗為0.14~0.48 dB，隔離度帶內(nèi)大于30 dB，電壓承受能力大于60 V。
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