| 大功率IGBT器件內部載流子控制方法綜述 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：703 K | |
| 標簽： 絕緣柵雙極晶體管 載流子控制方法 器件性能 | |
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| 文檔介紹：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的內部載流子控制方法對器件的導通狀態電壓降、關斷損耗、SOA、熱可靠性和瞬態穩定性等器件性能至關重要。已經報道的許多載流子控制方法都側重于發射極(或陰極)、集電極(或陽極)和漂移區的設計。重點介紹了當前和未來幾代IGBT的載流子控制方法。回顧發射極、集電極和漂移區的設計如何影響正向壓降和關斷能量損耗之間的權衡。最后，總結展望未來大功率IGBT器件內部載流子控制方法的發展趨勢。 | |
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