| 選擇文件 并聯(lián)增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管提高轉(zhuǎn)換器性能 | |
| 所屬分類(lèi)：解決方案 | |
| 上傳者：news | |
| 文檔大小：630 K | |
| 標(biāo)簽： ADI TI FPGA | |
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| 文檔介紹：氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。 增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)FET與硅功率MOSFET相比有許多優(yōu)勢(shì)，而且就像MOSFET一樣，許多設(shè)計(jì)人員想通過(guò)并聯(lián)器件來(lái)提高其轉(zhuǎn)換器的功率性能。因?yàn)閑GaN FET的開(kāi)關(guān)速度要比商用MOSFET快十倍，所以并聯(lián)會(huì)帶來(lái)許多新挑戰(zhàn)。這篇文章分成兩部分，討論了這些挑戰(zhàn)并提出了如何獲得優(yōu)異性能的建議。 | |
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