| 場效應(yīng)晶體管電路設(shè)計 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：news | |
| 文檔大小：4689 K | |
| 標(biāo)簽： ADI TI FPGA | |
| 所需積分：2分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。 | |
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