| 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)的理論分析 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：news | |
| 文檔大小：2067 K | |
| 標(biāo)簽： ADI TI FPGA | |
| 所需積分：2分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：以高速M(fèi)OSFET器件為基礎(chǔ)，對(duì)超快高壓電脈沖產(chǎn)生技術(shù)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。采用多路并聯(lián)的高速M(fèi)OSFET與感應(yīng)疊加相結(jié)合的形式，得到脈沖半寬度為300 ns、上升時(shí)間約為60 ns、時(shí)間間隔600 ns的超快方波雙脈沖；在負(fù)載電阻為11．5 Q時(shí)，可以產(chǎn)生365 A的脈沖峰值電流，并且能夠提供1．5 Mw 的峰值輸出功率。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會(huì)員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2