| 功率MOSFET并聯(lián)應(yīng)用 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： MOSFET | |
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| 文檔介紹： 從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時(shí)電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細(xì)的分析，并輔以仿真說(shuō)明振蕩產(chǎn)生的原因。 | |
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