| 實(shí)際應(yīng)用條件下Power+MOSFET開關(guān)特性研究 | |
| 所屬分類：調(diào)研報(bào)告 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 | |
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| 文檔介紹： 摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法，并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，所得出的結(jié)論對于功率MOSFET的正確運(yùn)用和設(shè)計(jì)合理的MoSFET驅(qū)動(dòng)電路具有指導(dǎo)意義． | |
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