| 一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類(lèi)：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： 集成電路 LDMOS | |
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| 文檔介紹：提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS，該結(jié)構(gòu)改善了表面電場(chǎng)分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過(guò)silvaco器件模擬軟件對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證，并對(duì)器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長(zhǎng)進(jìn)行優(yōu)化，結(jié)果表明，在保證LDMOS器件參數(shù)不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。 | |
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