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東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET，適用于快充設備

　　中國上海，2023年5月18日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

發(fā)表于：2023/5/18

大聯(lián)大品佳集團推出基于Infineon產(chǎn)品的智能遙控器方案

　　2023年5月18日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）CYW20835藍牙芯片的智能遙控器方案。

發(fā)表于：2023/5/18

意法半導體發(fā)布隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓（iso-buck）轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。

發(fā)表于：2023/5/17

大聯(lián)大友尚集團推出基于晶相光電和偉詮電子產(chǎn)品的汽車視覺方案

　　2023年5月16日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于晶相光電（SOI）JX-A05傳感器和偉詮電子（Weltrend）WT8932圖像處理器的汽車視覺方案。

發(fā)表于：2023/5/17

貿(mào)澤電子開售面向工業(yè)和汽車應用的Microchip Technology AVR64EA 8位AVR MCU

　　2023年5月16日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開售Microchip Technology的AVR64EA 8位AVR® MCU。AVR64EA MCU為工程師提供基于硬件的高速低功耗集成式模擬核心獨立外設（CIP），適用于工業(yè)、消費和汽車應用的各種實時控制、傳感器節(jié)點和輔助安全監(jiān)測。

發(fā)表于：2023/5/17

兆易創(chuàng)新業(yè)界最小塑封封裝產(chǎn)品面世

　　中國北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應對大容量代碼存儲需求的同時，提供極大限度的緊湊型設計自由。

發(fā)表于：2023/5/17

重壓之下中國自研光刻機核心技術(shù)獲重大突破！

在重重打壓與阻撓下，中國堅定了自立自強的決心，增強了自主研發(fā)能力，攻克了“卡脖子”關(guān)鍵技術(shù)，在這種趨勢下，西方的態(tài)度似乎正在發(fā)生轉(zhuǎn)變。

發(fā)表于：2023/5/17

哲庫余震：小米 vivo 榮耀們還能撐多久？

作為國內(nèi)芯片設計行業(yè)最受關(guān)注的后起之秀，OPPO旗下的哲庫用一種最決絕的方式和所有人說再見了。

發(fā)表于：2023/5/17

FEELM在英國發(fā)布全新升級一次性解決方案，思摩爾打造增長新引擎

英國時間5月13日,思摩爾旗下技術(shù)品牌FEELM在英國伯明翰宣布,全新升級的FEELM Max全球首款陶瓷芯一次性霧化解決方案啟動大規(guī)模商用。

發(fā)表于：2023/5/16

OPPO終止ZEKU芯片業(yè)務的背后

“出貨量持續(xù)下降”、“清庫存”、“裁員”、“虧損搶單”、“虧不起拒接訂單”、“砍掉新業(yè)務聚焦老業(yè)務”、“降低成本提高效率”···這些足以表明以智能手機為代表的消費類電子負面的語句，是近期筆者走訪產(chǎn)業(yè)鏈聽聞最多的話語，“活下去”——似乎也成為產(chǎn)業(yè)鏈眾多企業(yè)共同的目標。

發(fā)表于：2023/5/16

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

　　英國劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD）是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品，該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性，可實現(xiàn)歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點，過壓穩(wěn)健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護。與上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅(qū)動方式與 Si MOSFET 類似，無需復雜低效的電路，而是采用商用工業(yè)柵極驅(qū)動器。最后，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開關(guān)頻率下能大幅降低開關(guān)損耗，并縮小尺寸，減輕重量。基于這些優(yōu)勢，該產(chǎn)品在同類產(chǎn)品中具備領(lǐng)先的效率性能，并且與 SMPS 應用中業(yè)界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

發(fā)表于：2023/5/16

王化：小米武漢總部超35歲員工裁員90%的消息皆為謠言

5月14日，小米集團公關(guān)部總經(jīng)理 @王化發(fā)表聲明，對于網(wǎng)傳小米武漢第二總部對 35 歲以上員工裁員 90% 的消息進行了回應。

發(fā)表于：2023/5/15

英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關(guān)效率和設計魯棒性

　　【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標準和未來車用 40V MOSFET 應用的理想選擇，如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、制動系統(tǒng)、斷開開關(guān)和新區(qū)域架構(gòu)。OptiMOS 7 系列產(chǎn)品還可用于電池管理、電子保險絲盒以及 DC-DC 和 BLDC 驅(qū)動器。

發(fā)表于：2023/5/15

英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化

　　【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】為了實現(xiàn)全球氣候目標，交通運輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內(nèi)可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應用。

發(fā)表于：2023/5/15

貿(mào)澤開售面向工業(yè)和IoT應用的STMicroelectronics ISM330IS和ISN330ISN iNEMO慣性模塊

　　2023年5月12日 –專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供貨STMicroelectronics的ISM330IS和ISN330ISN iNEMO慣性模塊。這些模塊結(jié)合了三軸數(shù)字加速度計和三軸數(shù)字陀螺儀，是集成式系統(tǒng)級封裝解決方案。始終開啟的低功耗特性使得這些慣性模塊可在工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應用中實現(xiàn)出色的性能，包括工業(yè)機器人、資產(chǎn)跟蹤、狀態(tài)監(jiān)測和復雜運動檢測。

發(fā)表于：2023/5/15