保護電路應兼有反向電壓保護與正向過壓保護兩種功能。XTR115的保護電路如圖所示。反向電壓保護電路由二極管整流橋VD1～VD4組成，可防止因將環(huán)路電源的極性接反而損壞芯片。整流二極管可選用1N4148型高速硅開關二極管，其主要參數(shù)為URM=75V，Id=150mA，trr=4ns。采用橋式保護電路之后就不用再考慮環(huán)路電源的極性，因為無論Us的極性是否接反，它總能保證U 端接得是正電壓。鑒于在任何時刻整流橋上總有兩只二極管導通，因此在計算環(huán)路電壓ULOOP時需扣除兩只硅二極管的正向壓降之和(約為1.4V)，有公式
過壓保護電路采用一只1N4753A型穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓為36V，穩(wěn)定電流為7.0mA。當環(huán)路電壓過高時就被鉗位到36V。實驗證明，即使環(huán)路電壓達到65V，XTR115也不會損壞。為了改善瞬態(tài)過壓保護特性，還可采用Motorola公司生產(chǎn)的P6KE39A型瞬態(tài)電壓抑制器(其英文縮寫為TVS，亦稱瞬變電壓抑制二極管)來代替穩(wěn)壓管。P6KE39A的鉗位電壓UB=39V，鉗位時間僅為1ns，其性能遠優(yōu)于齊納穩(wěn)壓管。
