運放電源去耦旁路措施

2017-10-10 10:28

運放電源去耦旁路措施


每個集成運放的電源引線,一般都應采用去耦旁路措施,即從電源引線端到地跨接一個高性能的電容,如圖所示。圖中的高頻旁路電容,通??蛇x用高頻性能優良的陶瓷電容,其值約為0.1μF。或采用lμF的鉭電容。這些電容的內電感值都較小。在運放的高速應用時,旁路電容C1和C2應接到集成運放的電源引腳上,引線盡量短,這樣可以形成低電感接地回路。當所使用的放大器的增益帶寬乘積大于10MHz時,應采用更嚴格的高頻旁路措施,此時應選用射頻旁路電容,如0.1μF圓片陶瓷電在,同時每個印刷板或每4~5個集成芯片再增加一對(C1和C2)鉭電容。對于通用集成芯片,對旁路的要求不高,但也不能忽視,通常最好每4~5個器件加一套旁路電容。不論所用集成電路器件有多少,每個印刷板都要至少加一套旁路電容。


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