消費電子最新文章 芯片巨頭的新戰場 Intel下一代旗艦級CPU Sapphire Rapids將會是Intel在CPU領域的一次重要新產品。該CPU將會使用Intel 7工藝，并且大規模使用了chiplet（芯片粒）技術，從而讓單個CPU中可以包含高達60個核心，從而讓Intel不至于在高級封裝驅動的下一代CPU競爭中落后AMD。 發表于：11/7/2022 ADI攜手友達光電，面向汽車市場推出安全節能的寬屏顯示器 中國，北京–2022年11月3日，Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布友達光電(TPE:2409)將在其領先的汽車寬屏顯示器產品系列中使用ADI的矩陣LED顯示屏驅動器技術。此項業內優異的技術支持局部調光，可將功耗顯著降低至少50％，滿足功能安全要求。 發表于：11/7/2022 曝vivo全球首發京東方Q9高分屏 今日消息，vivo即將登場的X90系列除了拿到天璣9200和京東方Q9雙首發權外，還將會首發自研芯片V2。 發表于：11/6/2022 將繼續采用高通芯片，蘋果自研基帶芯片失利 自從3年前因為調制解調器的訴訟和解之后，蘋果就一直在積極自研自己的相關基帶芯片，但是這期間不斷傳出搭載自研基帶芯片的原型機在測試過程中頻頻發熱，預計要到兩年后才能調整解決，因此蘋果短期內將繼續采用高通的基帶芯片。 發表于：11/6/2022 欲彎道超車，華為公布超導量子芯片專利 近日從國家知識產權局獲悉，華為技術有限公司公布了代碼為CN115271077A的超導量子芯片專利。 發表于：11/6/2022 摩爾線程發布MCCX元計算一體機 今天下午的發布會上，國產GPU初創企業摩爾線程帶來了新一代GPU春曉，并推出了MTT S80國潮游戲顯卡及MTT S3000服務器顯卡，此外他們針對元宇宙打造了國內首個元宇宙計算平臺MTVERSE，并推出了基于MTT S3000的MCCX元計算一體機。 發表于：11/6/2022 臺積電終于認識到錯誤，將在全球擴張降低對美國芯片的依賴 臺積電創始人張忠謀近期表態指在美建設更多工廠將毀了臺積電，為此臺積電正在考察德國、印度等，計劃在這些地區建設工廠，同時它在中國大陸的南京工廠也將擴張16nm、28nm工藝產能，顯示出擺脫對美國芯片依賴的決心。 發表于：11/6/2022 芯動而來！美光發布新型芯片、華為公布超導量子芯片專利 隨著各大芯片巨頭相繼公布三季報，近日美國芯片巨頭高通（Qualcomm）發布了第四財季業績報告，第四季度經調整營收113．9億美元，同比增長22％，預期113．7億美元，根據財報顯示調整后符合預期，但對于下一財季的業績，高通還發布了低于預期第一財季展望。 發表于：11/5/2022 存儲半導體“入冬”，韓企押注DDR5賽道 由于受通貨膨脹、疫情等宏觀問題持續存在，手機、PC等消費電子客戶不斷調整庫存，存儲芯片業務受到影響。 發表于：11/5/2022 PC市場疲軟之際，AMD逆勢增長最大的底氣是什么？ 從費城半導體指數來看，在今年10月跌至兩年來的最低水平。“CPU＋GPU”雙芯片行業龍頭AMD股價，也在年內相應暴跌近60％，目前市值960多億美元。 發表于：11/5/2022 智慧城市井下天然氣泄漏監測傳感器TGS2619 隨著智慧城市化進程的加快，市政公用設施建設發展迅速。燃氣管線在長期使用中面臨的管道老化問題。調查發現，地下井內的燃氣管線會出現微小滲漏，由于是雙層井蓋，所以在井上不容易察覺，但是積少成多，很容易產生安全隱患，不僅影響了相關設備的正常工作，造成巨大的直接或間接經濟損失，也會對道路上的車輛、行人造成極大的危害，對社會安定、安全造成負面影響。由于城區面積擴大，燃氣管道分布范圍廣、數量大，導致監管難度大，通過井下燃氣智能監測設備，可以準確探測到輕微的燃氣泄漏，防止“小漏”擴大化，保障了城市管線的安全運行。 發表于：11/5/2022 高通文件：Arm將“斷供”所有芯片公司CPU授權 近日，據高通最新提交給法院的反訴書顯示，Arm告訴OEM，高通從2025年起將無法開發或銷售其架構的芯片，因為高通的許可協議將在2024年終止，而Arm不會延長任何這些許可。 發表于：11/4/2022 罪魁禍首疑似找到，英偉達RTX 4090“自燃門”后續 據業內消息，自從英偉達RTX 4090顯卡上市這段時間以來，因為其16針連接器出現多例自燃燒毀現象，導致陷入“自燃門”，英偉達和各廠商們積極核查自燃的根本原因，據說找到了這個罪魁禍首。 發表于：11/4/2022 兆芯最新X86 CPU曝光：性能與英特爾/AMD相比，落后10年？ 眾所周知，在PC領域，X86完全是處于壟斷地全的，至少占了90％以上的份額。其它的像MIPS、ARM、RISC－V等等，都不是X86的對手。 發表于：11/4/2022 半導體材料：GaN（氮化鎵）的詳細介紹 三代半導體即寬禁帶半導體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，切合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，已成為全球半導體技術和產業競爭焦點。 發表于：11/3/2022 ?…199200201202203204205206207208…?
