MOSFET能夠?qū)?a class="innerlink" href="http://www.jysgc.com/tags/導(dǎo)通電阻" title="導(dǎo)通電阻" target="_blank">導(dǎo)通電阻再降低一點(diǎn)那就棒了。電阻導(dǎo)致發(fā)熱，換而言之就是浪費(fèi)電能。為何你們不能環(huán)保一點(diǎn)呢？ – 潮州怒漢上
親愛的FAE博士：
我將飛兆半導(dǎo)體的FET置于高頻下工作，而開關(guān)損耗成為耗電的罪魁禍?zhǔn)住Ｎ也焕斫猓瑸楹文銈儾荒茉倥σ稽c(diǎn)，使器件開關(guān)所需的柵極電荷再減低一些，從而減少耗電。為何你們不能環(huán)保一點(diǎn)，老是要浪費(fèi)這么多電能？- 深圳心煩人上
親愛的潮州怒漢和深圳心煩人：
今天你們真幸運(yùn)。咖啡師給我弄了杯非常棒的拿鐵濃咖啡，還在那層厚薄恰到好處的牛奶泡沫上畫上一個(gè)心型點(diǎn)綴。因此，我發(fā)誓今天不會(huì)因任何事情壞了我的心情。今天可是我的好日子哦。上下班堵車？這不是問題。行人慢騰騰過街？我不會(huì)煩躁。煩人的問題？我會(huì)笑臉相迎。
我們經(jīng)常接到這樣的問題。難道還有誰比我們這群在實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)車間拼命工作，年復(fù)一年提供更好的MOSFET 的天才更不受人賞識(shí)的嗎？我們最近推出了首款采用Power56 封裝，電阻低于1 mOhm的30V N溝道MOSFET器件(FDMS7650)。你大概可以想象到在產(chǎn)品發(fā)布時(shí)，我們整個(gè)工程部都沉浸在狂歡之中。
好了，讓我回答這兩位朋友的問題。你認(rèn)為你買的是一個(gè)MOSFET器件，但實(shí)際上，你購買的是很多個(gè)MOSFET器件(可能數(shù)百萬，甚至數(shù)千萬)，我們降低導(dǎo)通電阻的方法是：在裸片上填充更多的并聯(lián)晶體管。我們的品質(zhì)因數(shù)是每平方厘米面積裸片的電阻值，而且我們每年都在降低這個(gè)數(shù)值。
我知道你在想什么…要利用溝槽技術(shù)來構(gòu)建所有這些晶體管，最大限度地增加漏極和源極表面積，同時(shí)保持低電容，從而最大限度地降低柵極電荷需求，一定是件非常困難的事情。的確是個(gè)挑戰(zhàn)。下面是電容的基本計(jì)算公式：
圖2：基本的電容計(jì)算方法
這個(gè)計(jì)算公式提醒我們電容隨“平板”面積增加，以及平板間距離減少而增大。這意味著，當(dāng)我們通過增加并聯(lián)晶體管來降低電阻的同時(shí)，電容一般也會(huì)增加。當(dāng)然，我們會(huì)盡其所能…注意介電常數(shù)K值… 如果能夠減小K值，就會(huì)對(duì)我們有利。當(dāng)然如果pi值提高，對(duì)我們也有利，因此，我們?cè)诤粲鯂H標(biāo)準(zhǔn)化組織將pi值提高，比如是5這一類容易記憶的數(shù)值 (這就是所謂仔細(xì)無遺的工程師幽默啊)。
我們以兩種方式在市場體現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值；要么使用較小的裸片，以較低的成本，實(shí)現(xiàn)同樣的導(dǎo)通電阻；要么以相同的價(jià)格實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。可是可曾有人為此來電感謝我們嗎？對(duì)，很少有人會(huì)這么樣做。
我們認(rèn)識(shí)到客戶對(duì)柵極電荷的需求，并通過電荷均衡來全力控制它，使其變得更小。不過從前述兩封讀者來信所見，讓所有客戶都滿意是很難的事情，但我們?cè)诶^續(xù)嘗試。
至于環(huán)保的問題，我的回應(yīng)是：我小時(shí)候曾養(yǎng)過一頭土耳其安哥拉貓，它后來死于環(huán)境污染。你想，我會(huì)不關(guān)注環(huán)保嗎？好吧，如果不介意的話，我還是回去品嘗可口芬芳的拿鐵咖啡了。