引言
在光通信領域中，用于高速、長距離通信的電吸收調制激光器" title="激光器">激光器（Electlro-absorption Modulated Laser，EML）對溫度穩定性的要求很高，并朝著小型化和高密度化方向發展。EML激光器是第一種大量生產的銦鎵砷磷（InGaAsP）光電集成器件。它是在同一半導體芯片上集成激光器光源和電吸收外調制器，具有驅動電壓低、功耗低、調制帶寬高、體積小，結構緊湊等優點，比傳統DFB激光器更適合于高速率、長距離的傳輸。
EML激光器的輸出波長、電流閾值、最大輸出功率和最小功率的波動都直接受工作溫度的影響。同時，光源的啁啾聲受限于光通道的最大允許色散，雖然光纖放大器可延長信號傳輸距離，但色散值隨傳輸距離的線性累積與光纖放大器無關，因此只能對光源的啁啾提出很苛刻的要求。使用直接調制激光器遠遠滿足不了系統對光源性能的要求，就目前技術而言，最簡單的方法是使用帶溫度控制" title="溫度控制">溫度控制的電吸收激光源。
本設計方案采用體積小且易于控制的熱電制冷器（ThermoElectric Cooler，TEC）作為制冷和加熱器件，并采用高精度的負溫度系數熱敏電阻（NTC）作為溫度傳感器，以MCU" title="MCU">MCU為控制核心，對EML激光器進行精密溫度控制。EML的內部結構框圖如圖1所示。虛線框內，上面的二極管負責監控激光器和控制開關，下面的二極管控制背光電流。
1 基于TPS63000的TEC控制電路設計
1．1 TEC的原理分析
TEC制冷器又稱半導體制冷器。電荷載體在導體中運動形成電流，當直流通過兩種不同的導體材料，接觸端上將產生吸熱或放熱現象，稱為帕爾貼效應。TEC熱電制冷器正是利用了帕爾貼效應實現制冷或制熱，具有無噪聲、無磨損、無污染、制冷（熱）速度快、可靠性高、體積小、控制調節方便等特點。
目前，大多數EML激光器內部都集成有TEC和熱敏電阻，但其控制電路需采用專用芯片或自行設計，否則激光器不能正常工作。常用的TEC控制電路包括2個PWM降壓變換器、4個開關（S1～S4）、2個二極管（D1和D2）、2個濾波電感（L1和L2）、2個電容（C1和C2）。TEC與電容C1并聯分別接PWMl和PWM2降壓變換器，PWMl和PWM2產生的輸出直流電壓為V1、V2。提供給TEC的電流ITBC=（V1-V2）／RTRC，RTEC為TEC兩電極間的阻抗。這種控制電路典型應用于Maxim公司的MAX8521、MAXl968以及Linear公司的LTC1923芯片中，主要存在以下的缺點：
①EMI較大。控制電路中的兩個濾波電感會對周圍產生電磁干擾，且濾波電感的回路阻抗易發生突變而導致產生尖銳的脈沖。
②外圍電路器件數量龐大。溫度的反饋信號以及其參數設置均采用模擬電路，從而使應用的成本和復雜性增加，TEC工作參數的設置不靈活。
③TEC的溫控精度不高。由于采用的是模擬的控制方式，外接誤差積分的運算放大器以及數／模轉換器的量化誤差都在一定程度上限制了TEC的控制精度。
④模式切換較復雜。控制電路在雙PWM降壓變換器驅動模式下采取模擬的控制方式，沒有運行模式選擇功能。
1．2 硬件電路結構設計
本文設計了一種基于TPS63000的TEC控制電路，采用數字式PID控制，具有溫控精度高、外圍電路簡單、執行部件的轉換效率高等優點。
TI公司的TPS63000是一款升降壓電源管理芯片，DC／DC轉換器可在1．8～5．5 V的寬電壓范圍內實現高達96％的效率。該芯片在降壓和升壓模式之間可自動轉換，同時支持電流流入模式。在降壓模式下電壓為3．3 V輸出時，輸出電流最大可達1200 mA；在升壓模式下電壓為3．3 V或5 V輸出時，輸出電流最大可達800 mA。
根據CyOptics公司的10 Gb／s Cooled EML的使用手冊可知，激光器的可操作溫度范圍在-40～90℃，TEC熱電制冷器的電流ITEC為-1．5～1．5 A，VTEC為-3．3～3．3 V，熱敏電阻的電流ITHC不得超過100μA，中心波長的范圍為1530～1565 nm，且溫度每變化1℃波長偏移不得超過0．13 nm。
結合激光器的具體指標，要做到對TEC溫度的精確控制，可分為以下3步：
①熱敏電阻實時監控溫度；
②TEC上電流方向實現制冷和加熱；
③PID控制準確、快速、穩定地控制TEC電流。
TEC控制系統是一個典型的閉環反饋控制系統，其結構如圖2所示。
EML內部集成的高靈敏度NTlC熱敏電阻，溫度特性波動小、對各種溫度變化響應快，材料一般為薄膜鉑電阻。電阻的阻值與溫度的關系是非線性的，可用公式表示為：
R=RTO×EXP{B（1／T-1／TO）}
其中，T0為溫度的初始值，B為熱敏指數。
引言
在光通信領域中，用于高速、長距離通信的電吸收調制激光器（Electlro-absorption Modulated Laser，EML）對溫度穩定性的要求很高，并朝著小型化和高密度化方向發展。EML激光器是第一種大量生產的銦鎵砷磷（InGaAsP）光電集成器件。它是在同一半導體芯片上集成激光器光源和電吸收外調制器，具有驅動電壓低、功耗低、調制帶寬高、體積小，結構緊湊等優點，比傳統DFB激光器更適合于高速率、長距離的傳輸。
EML激光器的輸出波長、電流閾值、最大輸出功率和最小功率的波動都直接受工作溫度的影響。同時，光源的啁啾聲受限于光通道的最大允許色散，雖然光纖放大器可延長信號傳輸距離，但色散值隨傳輸距離的線性累積與光纖放大器無關，因此只能對光源的啁啾提出很苛刻的要求。使用直接調制激光器遠遠滿足不了系統對光源性能的要求，就目前技術而言，最簡單的方法是使用帶溫度控制的電吸收激光源。
本設計方案采用體積小且易于控制的熱電制冷器（ThermoElectric Cooler，TEC）作為制冷和加熱器件，并采用高精度的負溫度系數熱敏電阻（NTC）作為溫度傳感器，以MCU為控制核心，對EML激光器進行精密溫度控制。EML的內部結構框圖如圖1所示。虛線框內，上面的二極管負責監控激光器和控制開關，下面的二極管控制背光電流。
1 基于TPS63000的TEC控制電路設計
1．1 TEC的原理分析
TEC制冷器又稱半導體制冷器。電荷載體在導體中運動形成電流，當直流通過兩種不同的導體材料，接觸端上將產生吸熱或放熱現象，稱為帕爾貼效應。TEC熱電制冷器正是利用了帕爾貼效應實現制冷或制熱，具有無噪聲、無磨損、無污染、制冷（熱）速度快、可靠性高、體積小、控制調節方便等特點。
目前，大多數EML激光器內部都集成有TEC和熱敏電阻，但其控制電路需采用專用芯片或自行設計，否則激光器不能正常工作。常用的TEC控制電路包括2個PWM降壓變換器、4個開關（S1～S4）、2個二極管（D1和D2）、2個濾波電感（L1和L2）、2個電容（C1和C2）。TEC與電容C1并聯分別接PWMl和PWM2降壓變換器，PWMl和PWM2產生的輸出直流電壓為V1、V2。提供給TEC的電流ITBC=（V1-V2）／RTRC，RTEC為TEC兩電極間的阻抗。這種控制電路典型應用于Maxim公司的MAX8521、MAXl968以及Linear公司的LTC1923芯片中，主要存在以下的缺點：
①EMI較大。控制電路中的兩個濾波電感會對周圍產生電磁干擾，且濾波電感的回路阻抗易發生突變而導致產生尖銳的脈沖。
②外圍電路器件數量龐大。溫度的反饋信號以及其參數設置均采用模擬電路，從而使應用的成本和復雜性增加，TEC工作參數的設置不靈活。
③TEC的溫控精度不高。由于采用的是模擬的控制方式，外接誤差積分的運算放大器以及數／模轉換器的量化誤差都在一定程度上限制了TEC的控制精度。
④模式切換較復雜。控制電路在雙PWM降壓變換器驅動模式下采取模擬的控制方式，沒有運行模式選擇功能。
1．2 硬件電路結構設計
本文設計了一種基于TPS63000的TEC控制電路，采用數字式PID控制，具有溫控精度高、外圍電路簡單、執行部件的轉換效率高等優點。
TI公司的TPS63000是一款升降壓電源管理芯片，DC／DC轉換器可在1．8～5．5 V的寬電壓范圍內實現高達96％的效率。該芯片在降壓和升壓模式之間可自動轉換，同時支持電流流入模式。在降壓模式下電壓為3．3 V輸出時，輸出電流最大可達1200 mA；在升壓模式下電壓為3．3 V或5 V輸出時，輸出電流最大可達800 mA。
根據CyOptics公司的10 Gb／s Cooled EML的使用手冊可知，激光器的可操作溫度范圍在-40～90℃，TEC熱電制冷器的電流ITEC為-1．5～1．5 A，VTEC為-3．3～3．3 V，熱敏電阻的電流ITHC不得超過100μA，中心波長的范圍為1530～1565 nm，且溫度每變化1℃波長偏移不得超過0．13 nm。
結合激光器的具體指標，要做到對TEC溫度的精確控制，可分為以下3步：
①熱敏電阻實時監控溫度；
②TEC上電流方向實現制冷和加熱；
③PID控制準確、快速、穩定地控制TEC電流。
TEC控制系統是一個典型的閉環反饋控制系統，其結構如圖2所示。
EML內部集成的高靈敏度NTlC熱敏電阻，溫度特性波動小、對各種溫度變化響應快，材料一般為薄膜鉑電阻。電阻的阻值與溫度的關系是非線性的，可用公式表示為：
R=RTO×EXP{B（1／T-1／TO）}
其中，T0為溫度的初始值，B為熱敏指數。
熱敏電阻作為傳感器探測激光器內部溫度，并將溫度轉換為自身阻值的變化，然后由溫度控制電路將電阻的變化轉換為電壓的變化，其轉換精度決定了測溫的精度。轉換后電壓值的大小決定TEC LOOP電路的電流的流向（流入還是流出），以此來實現TEC控制電路的制冷或制熱。
圖3為設計的TEC LOOP電路。
在TPS6300X系列芯片中，為了更好地控制輸出電壓VOUT，通常用FB引腳電壓值的變化來感知輸出電壓V（OUT值的變化，這就意味著FB引腳要和VOUT引腳直接相連。
可得出，VFB=K1·VOUT+K2·VDAC。其中，K1、K2為常量，VDAC為MCU的控制電壓。通過對輸出電壓VOUT值的控制，當電流由ITEC（+）流向ITEC（-）時，激光器將制冷，反之制熱。
在這個可調節的電壓輸出系統中，要調節VOUT值，還要用一個外部的分壓電阻連接在FB、VOUT和GND之間。為了能正常地調節VOUT值，V-FB值最大不超過500 mA，IFB不超過0．01μA，RB的阻值小于500 kΩ。分壓電阻RA阻值由VFB、YOUT和RB確定。
1．3 TEC LOOP控制算法
PID（Proportional Integral Derivative）控制是一種線性的調節，即比例、積分、微分控制。PID控制有模擬PID和數字PID控制兩種，通常依據控制器輸出與執行機構的對應關系，將基本數字PID算法分為位置式PID和增量式PID。本文中TEC LOOP控制采用了適合于溫度控制的位置式PID控制算法。該算法原理簡單，只是將經典的PID算法理論離散化，運用于計算機輔助測量，結構簡單易于實現。圖4是TEC LOOP的控制模型。
該控制模型的控制表達式為：
其中，Kp為比例調節系數，Ki為積分調節系數，Kd為微分調節系數，e（k）為每次采樣值與目標值的差值，u（k）為每次計算后用于調整溫度的DAC值。模型中的反饋部分是將24位DAC的采樣值轉換成溫度，當前溫度與目標溫度的差值通過PID算法計算出當前需要調整的DAC值，從而來實現溫度的精確控制。
2 實驗結果及分析
基于以上設計的TEC控制電路，分別對4只EML激光器在-10℃、25℃、75℃三種溫度下進行3．3（1±10％）V的一些性能指標測試，測試的激光器是在循環箱中進行，表1為其中波長和光發射功率的具體測量數據。
從表中可以看出，當TEC控制在42℃，4只EML激光器分別工作在-10℃、25℃、75℃時，中心波長的偏移均不超過0．2 nm，光功率的變化在±1 dB之內。根據CyOptics公司的lO Gb／s Cooled EML的使用手冊可知，光功率、中心波長完全滿足TDM（時分復用）的要求，波長的變化范圍也可以滿足WDM（波分復用）應用需求。
結語
本文所設計的基于TPS63000的溫度控制電路，已成功應用在CyOptics公司的EML激光器中。實際使用證明：該電路可以有效地對TEC的溫度進行控制，能夠使EML激光器長期、穩定地工作在設定溫度下。此模塊工作溫度寬、集成度高、成本低，經過進一步優化設計還可以適用于大多數集成光通信系統。