高集成度、高質(zhì)量、高可靠性在數(shù)字電路設計中十分重要，數(shù)字電路出現(xiàn)故障的幾率隨著其規(guī)模和復雜度的增加而增大，對數(shù)字電路的容錯研究有著重要意義[1-2]。自診斷和自修復對數(shù)字電路容錯技術(shù)發(fā)展有著深遠影響[3]。自診斷使電路能自動探測到故障，而自修復使電路用較少的硬件資源將故障修復。
    由于多細胞器官具有高可靠性和高容錯能力，這為數(shù)字電路的容錯研究提供了重要的思想，許多研究者一直致力于在數(shù)字電路設計中找到一種新的自修復機理和有效的容錯方法[4-5]。目前，在數(shù)字電路設計中存在兩種自修復機制：基于進化思想和基于重構(gòu)思想。胚胎細胞就是基于重構(gòu)思想的自修復機制。
    為了提高數(shù)字電路的容錯能力，本文提出一種自修復機制，并對基本結(jié)構(gòu)單元進行設計研究，通過實例說明在基本結(jié)構(gòu)單元故障時自修復機制如何實現(xiàn)。
1 具有自修復功能的數(shù)字電路結(jié)構(gòu)
    基于胚胎細胞的重構(gòu)思想，針對數(shù)字電路提出了一種自修復機制，對應具有自修復功能的數(shù)字電路結(jié)構(gòu)如圖1所示。

    自修復機制的主要思想：每個細胞對各自的功能模塊進行檢測，當出現(xiàn)功能故障時，故障細胞被屏蔽，然后分兩種情況進行處理：(1)故障細胞所在行的右側(cè)沒有休眠細胞：采取整列休眠屏蔽的方法，整列細胞的功能由其右邊列細胞取代實現(xiàn)，故障細胞輸出err_out信號有效。由圖1可知，這列所有細胞的休眠信號err_in被置位，這將使得這列的其他功能細胞轉(zhuǎn)變?yōu)樾菝呒毎?2)故障細胞所在行的右側(cè)有休眠細胞：通過傳遞休眠細胞地址的方法將休眠細胞激活為功能細胞，它將間接取代故障細胞的功能。通過這兩種情況的處理實現(xiàn)故障細胞的自修復功能。
    為了實現(xiàn)這種自修復機制，本文對細胞的結(jié)構(gòu)進行設計，每個細胞具有相同的硬件結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。每個細胞包括地址產(chǎn)生模塊(AG)、Memory模塊、細胞功能模塊(FUN)、屏蔽信號產(chǎn)生模塊(SSG)、激發(fā)休眠細胞模塊(ARC)、休眠地址傳遞模塊(RAT)和I/O block。

    整個細胞除了能實現(xiàn)特定細胞功能，還能實現(xiàn)自修復機制。實現(xiàn)的特定功能主要包括AG模塊、Memory模塊、FUN模塊和I/O block模塊。Memory模塊根據(jù)AG模塊產(chǎn)生的地址讀取相應的配置信息對FUN模塊進行配置，實現(xiàn)細胞功能。實現(xiàn)自修復機制主要包括SSG模塊、RAT模塊和ARC模塊，SSG模塊產(chǎn)生屏蔽信號，對細胞實現(xiàn)的特定功能進行屏蔽，RAT模塊傳遞正在休眠細胞的地址，ARC模塊主要用于激活休眠細胞。
1.1 AG模塊
    系統(tǒng)功能由多個細胞共同實現(xiàn)，對同一行細胞來說，每個細胞需要實現(xiàn)的功能由它的地址決定，AG(Address Generator)模塊主要用來確定功能細胞的地址，使細胞實現(xiàn)相應的功能。同一行每個細胞的地址addr由左邊細胞的輸出地址addr_in加“1”得到，AG模塊結(jié)構(gòu)如圖3所示。

其中N為細胞所在行必需的功能細胞數(shù)，addr_out為此細胞的輸出地址，其輸出值與細胞類型有關(guān)。
    (1)功能細胞：addr_out=addr，輸出本細胞地址。
    (2)備用細胞：addr_out=addr_in，通過比較器Cmp1輸出的備用信號spare來判斷此細胞是否為備用細胞。當addr_in與N相等時，表示左邊細胞是本行必需的最后一個功能細胞，則此細胞就為備用細胞，輸出spare有效。
    (3)故障細胞或休眠細胞：addr_out=addr_in，當功能細胞變?yōu)楣收霞毎蛐菝呒毎麜r，其輸出地址等于左邊細胞的輸出地址，此細胞需實現(xiàn)的功能由右邊功能細胞完成，從而實現(xiàn)自修復功能。
1.2 FUN模塊
      FUN(Function unit)模塊主要實現(xiàn)細胞的邏輯和時序功能，是完成細胞特定功能的主要模塊，F(xiàn)UN模塊結(jié)構(gòu)如圖4所示。其中exist信號反映細胞右側(cè)是否存在休眠細胞，其值由休眠細胞地址restaddr(RAT模塊產(chǎn)生)各位相或所得，exist為“0”表示右側(cè)沒有休眠細胞，exist為“1”表示右側(cè)有休眠細胞。RAM1由Memory模塊進行配置，儲存細胞要實現(xiàn)的功能信息，通過查找表方式將功能結(jié)果輸出，R0用于控制輸出結(jié)果是否被寄存。RAM2是RAM1的冗余存儲單元，RAM2與RAM1相同地址的比特信息剛好相反，它們的輸出值經(jīng)過同或門后可以判斷細胞是否出現(xiàn)功能故障。當RAM1或RAM2出錯時，故障信號err變?yōu)橛行В現(xiàn)UN模塊的輸出信號fun_out為高阻態(tài)，若此細胞右側(cè)沒有休眠細胞，輸出err_out信號有效，本列的其他功能細胞轉(zhuǎn)變?yōu)樾菝呒毎?/p>

1.3 SSG模塊
    SSG(Shield Signal Generator)模塊主要是在滿足條件時產(chǎn)生屏蔽信號shield。故障細胞或休眠細胞需要被屏蔽，當休眠細胞需要被激活時，屏蔽信號shield應該無效，使休眠細胞轉(zhuǎn)變?yōu)楣δ芗毎?br/>     SSG模塊的真值表如表1所示。其中active為激活休眠細胞信號，由激發(fā)休眠細胞模塊ARC(Activate Resting Cell)產(chǎn)生。

    由表1可知，故障細胞和休眠細胞的屏蔽信號shield有效，當休眠細胞的激活信號active有效時，屏蔽信號shield無效。
1.4 RAT模塊
    RAT(Resting Address Transfer)模塊主要是向左傳遞休眠細胞的地址，同時如果細胞被轉(zhuǎn)變?yōu)樾菝呒毎瑒t將此細胞的地址向左側(cè)傳遞。細胞輸出的休眠細胞地址restaddr_out與細胞類型有關(guān)。
    (1)休眠細胞：restaddr_out=addr，休眠細胞將自己的地址addr作為休眠細胞地址輸出。
    (2)其他類型細胞：restaddr_out= restaddr_in，其他類型細胞對于輸入的休眠細胞地址restaddr_in起傳遞作用。
1.5 ARC模塊
    當細胞發(fā)生故障且右側(cè)有休眠細胞時，不需要將整列功能細胞屏蔽，只需將故障細胞屏蔽，同時ARC模塊向右傳遞需要激活的休眠細胞的地址，讓休眠細胞變?yōu)楣δ芗毎瑢崿F(xiàn)自修復功能。ARC模塊在不同情況下的作用不同。
    (1)故障細胞且右側(cè)有休眠細胞：ARC模塊將暫存的休眠細胞的地址restaddr作為激活地址activaddr_out輸出，即activaddr_out=restaddr。
    (2)休眠細胞：在休眠期間，激活信號active為比較器Cmp2的輸出，當輸入的激活地址activaddr_in為本細胞地址時，激活信號active有效。由表1可知，屏蔽信號shield變?yōu)闊o效，休眠細胞被激活為功能細胞。
    (3)其他情況：activaddr_out=activaddr_in，ARC模塊起傳遞激活地址作用。
1.6 I/O Block
    I/O Block主要實現(xiàn)與其他細胞通信以及是否選擇細胞功能模塊FUN的結(jié)果作為輸出，是實現(xiàn)細胞功能屏蔽的控制模塊。細胞的輸入輸出數(shù)據(jù)流程如圖5所示。

2 實例分析
　　設系統(tǒng)由4×6細胞陣列構(gòu)成，包括功能細胞和備用細胞s，如圖6所示。功能細胞所標識的具體數(shù)字表示其AG模塊產(chǎn)生的地址，這個地址決定了細胞要具體實現(xiàn)的功能。此系統(tǒng)需要的功能細胞數(shù)每一行為4，所以各個細胞的N均為4。下面分析系統(tǒng)從正常工作到單個細胞故障，再到多個細胞故障時各階段如何實現(xiàn)故障自修復功能。

2.1 細胞無故障階段
    每個功能細胞的地址由AG模塊產(chǎn)生，其地址從左向右從1開始依次遞增，如圖6所示。細胞根據(jù)其地址從Memory模塊中讀取相應的功能配置信息到FUN模塊的RAM1和RAM2中實現(xiàn)相應的功能。第五列和第六列的細胞根據(jù)其AG模塊輸出備用信號spare有效，判定為備用細胞s，I/O Block將備用細胞屏蔽。在這個階段，所有細胞的RAT模塊和ARC模塊只起著傳遞作用。
2.2 單個細胞故障
    假設第二行第三列的細胞發(fā)生故障，此細胞的故障信號err被置為“1”。由表1可知，此故障細胞被屏蔽。由于此細胞右側(cè)沒有休眠細胞，所以故障細胞的err_out信號有效，從而第三列所有細胞的 err_in信號有效，由表1可知，第三列其他功能細胞變?yōu)樾菝呒毎Ｐ菝呒毎腞AT模塊將自己的地址輸出向左傳遞，使休眠細胞左側(cè)的功能細胞暫存這個休眠細胞地址。由于第三列整列細胞被屏蔽，第三列細胞AG模塊的輸出地址addr_out=addr_in=2，第四列功能細胞的地址addr變?yōu)?，第四列的功能細胞實現(xiàn)了原來第三列功能細胞的功能；第五列備用細胞的spare信號變?yōu)闊o效，備用細胞變?yōu)楣δ芗毎涞刂窞?，實現(xiàn)原來第四列功能細胞的功能，從而整個系統(tǒng)實現(xiàn)了電路功能的自修復。自修復后的電路結(jié)構(gòu)如圖7所示。X表示故障細胞，D表示休眠細胞。

2.3 多個細胞故障
    多個細胞故障（這里以兩個細胞故障為例，其他類似）分為兩種情況，一種是故障細胞右側(cè)沒有休眠細胞，這時會繼續(xù)采用整列休眠的方法；另一種是故障細胞右側(cè)有休眠細胞，下面對這種情況分析說明。
    設在上節(jié)的故障發(fā)生后，第三行第一列的細胞又發(fā)生故障，此故障細胞被屏蔽且根據(jù)exist為“1”判斷出其右側(cè)有休眠細胞，此故障細胞的ARC模塊將暫存的休眠細胞地址restaddr=3作為激活地址輸出向右傳遞，功能細胞對激活地址只起傳遞作用，其功能不受影響。當?shù)谌械谌械男菝呒毎斎氲募せ畹刂窞?時，其ARC模塊的比較器輸出為“1”， active信號變?yōu)橛行В杀?可知，此休眠細胞的屏蔽信號shield無效，休眠細胞被激活為功能細胞，實現(xiàn)了故障自修復功能。經(jīng)自修復后的電路結(jié)構(gòu)如圖8所示。

    由圖8可見，經(jīng)過自修復后的電路結(jié)構(gòu)在第4～6列沒有變動，對系統(tǒng)性能的影響也相應減小。
3 容錯性能分析
3.1 容錯細胞數(shù)
    (1)故障細胞數(shù)不多于空閑細胞列數(shù)。在這種情況下，故障覆蓋率可以達到100%，每個故障細胞至少均可由一列空閑細胞實現(xiàn)容錯。系統(tǒng)能容錯的細胞數(shù)為故障細胞數(shù)。
    (2)故障細胞數(shù)大于空閑細胞列數(shù)且不多于空閑細胞數(shù)。考慮最壞的情況，所有故障細胞都在同一行，這時系統(tǒng)能容忍的故障細胞數(shù)為空閑細胞列數(shù)。考慮另一種可能性更大的情況：故障細胞等概率的出現(xiàn)在每一行，此時故障覆蓋率可以達到最大，系統(tǒng)能容忍的故障細胞數(shù)為空閑細胞數(shù)，其電路結(jié)構(gòu)示意圖如圖9所示。

    (3)當故障細胞數(shù)大于空閑細胞數(shù)。此時，系統(tǒng)能容忍的最大故障細胞數(shù)為空閑細胞數(shù)。
3.2 與其他方法比較
    TMR用三個相同功能模塊的輸出經(jīng)過多數(shù)表決器選擇輸出最后的結(jié)果，需要用2倍的冗余資源且只能容忍一個模塊出錯，當有兩個模塊出現(xiàn)故障時，最后表決器的輸出會出現(xiàn)誤判。文獻[6]采用的整列排除方法對每個故障細胞均采用排除所在列來實現(xiàn)容錯，每當出現(xiàn)一個故障細胞時，就將整列屏蔽，消耗過多的硬件資源且能容忍的故障細胞數(shù)較少。假設系統(tǒng)資源為24個單元，文獻[6]和本文均采用如圖5所示的結(jié)構(gòu)。表2是在以上假設下本文提出的方法與這兩種方法容錯性能的對比結(jié)果。由表2可以看出，在相同系統(tǒng)資源情況下，相比于TMR與整列排除方法，本文提出的方法可以容忍更多的故障單元，這是由于本文的方法更充分利用了備用細胞，提高了系統(tǒng)的容錯能力。

    本文對數(shù)字電路容錯提出了一種自修復的容錯機制，并設計了基本結(jié)構(gòu)單元來實現(xiàn)這種自修復機制。通過數(shù)字系統(tǒng)實例分析了基本單元在不同故障情況下如何實現(xiàn)系統(tǒng)功能的自修復來達到容錯目的，分析了在不同情況下系統(tǒng)的容錯細胞數(shù)，通過與TMR和整列排除方法的容錯性能對比，說明了本文提出的方法可提高系統(tǒng)的容錯能力。
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