NEC電子近日完成22款16位閃存微控制器" title="微控制器">微控制器的開發(fā)，并于日前推出樣品。這22款閃存微控制器主要用于電池驅(qū)動(dòng)" title="電池驅(qū)動(dòng)">電池驅(qū)動(dòng)的小型、低功耗" title="低功耗">低功耗系統(tǒng)。?
新產(chǎn)品以NEC電子的16位高性能" title="高性能">高性能CPU核為基礎(chǔ)，大幅度降低了功耗。其主要特征包括：?
1．與NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品相比，在待機(jī)狀態(tài)下可降低約60%功耗，在10MHz工作時(shí)可降低約17%、在20MHz下高速工作時(shí)可降低約16%的功耗，可滿足用電池進(jìn)行供電的系統(tǒng)，同時(shí)兼顧低功耗及高性能的要求；?
2．內(nèi)置1MHz、8MHz、20MHz的振蕩電路，可根據(jù)系統(tǒng)需求選擇最佳振蕩電路，為降低系統(tǒng)成本及實(shí)現(xiàn)小型化做貢獻(xiàn)；?
3．運(yùn)算放大器、比較器及高速A/D轉(zhuǎn)換器，是用于集成有傳感器功能系統(tǒng)的最佳產(chǎn)品。?
使用新產(chǎn)品，有助于用戶在帶有傳感器功能的系統(tǒng)上同時(shí)兼顧低功耗及高性能，有利于小型化及電池壽命的延長，如火災(zāi)報(bào)警器等電池驅(qū)動(dòng)的安全系統(tǒng)、帶防抖功能的數(shù)碼相機(jī)等。?
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新產(chǎn)品的樣品價(jià)格根據(jù)存儲(chǔ)器容量、封裝類型、引腳數(shù)量的不同而有所差異。其中，閃存容量64Kbyte、RAM 3Kbyte、封裝為64pin FPBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）的78K0R/KE3-L的樣品單價(jià)為500日元。新產(chǎn)品的量產(chǎn)預(yù)計(jì)從2008年底開始， 1年后月產(chǎn)量總計(jì)將達(dá)100萬個(gè)。?
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NEC電子自2004年11月首次推出用閃存存儲(chǔ)器替代的全閃存微控制器以來，開發(fā)出從8位到32位的品種豐富的微控制器產(chǎn)品，可滿足用戶在各種領(lǐng)域的需求。其中，在16位微控制器領(lǐng)域，NEC電子于2006年2月推出了“78K0R/KG
近幾年，隨著環(huán)保意識(shí)的不斷提高，在微控制器應(yīng)用領(lǐng)域，系統(tǒng)的節(jié)能化也成為競爭的優(yōu)勢之一。在這種背景下，用戶開始對(duì)包括半導(dǎo)體在內(nèi)的各種器件提出低功耗化要求。NEC電子于2007年10月推出了以“超低功耗”為核心的8款32位微控制器，并不斷致力于開發(fā)低功耗產(chǎn)品。此次，NEC電子為了滿足16位微控制器市場的低功耗化需求，針對(duì)今后將出現(xiàn)高增長的電池驅(qū)動(dòng)小型化系統(tǒng)市場，推出了低功耗全閃存微控制器“78K0R/KC3-L”、“78K0R/KD3-L”、“78K0R/KE3-L”。?
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新產(chǎn)品的主要特征如下?
（1）實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小的功耗?
通過改良整體電路，可將待機(jī)狀態(tài)的功耗從現(xiàn)有產(chǎn)品的2.4霢降低到1.0霢，約降低了60%。并且通過降低內(nèi)部工作電壓，將工作頻率為10MHz時(shí)的功耗從3.9mA降低到3.2mA，約降低了17%；在20MHz高速工作時(shí)，功耗從8.5mA降低到7.2mA，約降低了16%。將業(yè)界最高水平的能效比（注2）由1.8mW改寫為1.5mW，為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整體的低功耗和高性能作出貢獻(xiàn)。?
（2）內(nèi)置可生成三種工作頻率的高性能振蕩器?
除以往產(chǎn)品的8MHz之外，內(nèi)置的振蕩電路還可生成適合低功耗的1MHz以及發(fā)揮高性能的20MHz頻率，可根據(jù)實(shí)際需要選擇最佳振蕩電路。生成的8MHz和20MHz工作頻率其誤差低于1%，即使是高精度要求的異步通信也無須外接振蕩器。因此，可以降低系統(tǒng)成本及實(shí)現(xiàn)小型化。?
（3）內(nèi)置了各種適用于傳感器系統(tǒng)的電路?
為提高將輸入的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的速度，優(yōu)化了10位A/D轉(zhuǎn)換器。因此轉(zhuǎn)換信號(hào)所需時(shí)間從原有產(chǎn)品的6○s減少為3○s。此外，把以前產(chǎn)品外接的1通道運(yùn)放器及2通道比較器改為內(nèi)置，可降低模擬信號(hào)的測算成本。?
（4）可在1.8V電壓下進(jìn)行編程?
內(nèi)置了專用的升壓電路，因此向閃存寫入程序所必需的電壓由原來的2.7V降低到1.8V。從而有效地利用電能，可以延長系統(tǒng)的工作時(shí)間。?
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NEC電子將全新改進(jìn)的全閃存芯片低功耗技術(shù)用于該系列新產(chǎn)品中。為了讓新產(chǎn)品成為電池驅(qū)動(dòng)的小型化系統(tǒng)及帶有傳感器功能產(chǎn)品的最佳選擇，NEC電子計(jì)劃今后進(jìn)行更積極的營銷活動(dòng)。?
新產(chǎn)品的主要規(guī)格請(qǐng)參考附件。?
（注1）MIPS：Million Instructions Per Second的簡稱。1MIPS是1秒鐘處理100萬次命令的能力。微處理器的性能測試是基于Dhrystone 1.1版本?
（注2）能耗比：執(zhí)行1MIPS命令所需的能量。?
(備注1)該發(fā)布中產(chǎn)品名稱以及服務(wù)名稱都是各自所屬者的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。?
(備注2)新產(chǎn)品得到了由Silicon Storage Technology, Inc許可的SuperFlash技術(shù)。SuperFlash是美國Silicon Storage Technology, Inc在美國、日本等國的注冊商標(biāo)。?
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<附件>?
主要規(guī)格?
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項(xiàng)? 目? |
78K0R/KC3-L? （44引腳）? （UPD78F100y注 1：? y = 0-3）? |
78K0R/KC3-L? （48引腳）? （UPD78F100y注 1：? y = 1-3）? |
78K0R/KD3-L? （52引腳）? （UPD78F100y注 1：? y = 4-6）? |
78K0R/KE3-L? （64引腳）? （UPD78F100y注 1：? y = 7-9）? | ||||||||||||
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內(nèi)置存儲(chǔ)器? |
閃存（K字節(jié)）? |
16? |
32? |
48? |
64? |
32? |
48? |
64? |
32? |
48? |
64? |
32? |
48? |
64? | ||
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RAM（K字節(jié)）? |
1? |
1.5? |
2? |
3/2注 2? |
1.5? |
2? |
3/2? 注 2? |
1.5? |
2? |
3/2? 注 2? |
1.5? |
2? |
3/2? 注 2? | |||
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存儲(chǔ)器容量? |
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主系統(tǒng)時(shí)鐘? |
高速系統(tǒng)時(shí)鐘? |
X1（晶體/陶瓷）振蕩，外部主系統(tǒng)時(shí)鐘" title="系統(tǒng)時(shí)鐘">系統(tǒng)時(shí)鐘輸入（EXCLK）? 2～20 MHz：VDD = 2.7～5.5 V；2～5 MHz：VDD = 1.8～5.5 V? | ||||||||||||||
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高速內(nèi)置振蕩時(shí)鐘? |
內(nèi)置振蕩? 1 MHz±5 %, 8 MHz±1 %（目標(biāo)）：VDD = 1.8～5.5 V? | |||||||||||||||
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20 MHz高速內(nèi)置振蕩時(shí)鐘? |
內(nèi)置振蕩? 20 MHz±1 %（目標(biāo)）：VDD = 2.7～5.5 V? | |||||||||||||||
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副系統(tǒng)時(shí)鐘? |
XT1（晶體）振蕩? 32.768 kHz（TYP.）：VDD = 1.8～5.5 V? | |||||||||||||||
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低速內(nèi)置振蕩時(shí)鐘? （WDT專用）? |
內(nèi)置振蕩? 30 kHz（TYP.）：VDD = 1.8～5.5 V? | |||||||||||||||
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通用寄存器? |
8位×32（8位×8個(gè)寄存器×4組）? | |||||||||||||||
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最小命令執(zhí)行時(shí)間? |
0.05ms（高速系統(tǒng)時(shí)間：fMX = 20 MHz工作時(shí)）? | |||||||||||||||
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0.125ms（高速內(nèi)置振蕩時(shí)鐘：fIH = 8 MHz（TYP.）工作時(shí)）? | ||||||||||||||||
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61ms（副系統(tǒng)時(shí)鐘：fSUB = 32.768 kHz工作時(shí)）? | ||||||||||||||||
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命令設(shè)定? |
·8位運(yùn)算，16位運(yùn)算? ·乘法運(yùn)算（8位×8）? ·位操作（置位、復(fù)位、測試、布爾演算）等? | |||||||||||||||
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I/O口? |
合計(jì)? |
37? |
41? |
45? |
55? | |||||||||||
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CMOS輸入/輸出? |
33? |
34? |
38? |
48? | ||||||||||||
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CMOS輸入? |
4? |
4? |
4? |
4? | ||||||||||||
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CMOS輸出? |
－? |
1? |
1? |
1? | ||||||||||||
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N-ch開漏輸入/輸出（耐壓6 V）? |
－? |
2? |
2? |
2? | ||||||||||||
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時(shí)鐘? |
·16位定時(shí)器???????????????? ：8通道? ·看門狗定時(shí)器?????????????? ：1通道? ·實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC) ???????????? ：1通道? | |||||||||||||||
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? |
時(shí)鐘輸出? |
8路（PWM輸出：7路注3）? | ||||||||||||||
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? |
RTC輸出? |
2路? ·1Hz（副系統(tǒng)時(shí)鐘：fSUB = 32.768 kHz）? ·512Hz或16.384kHz或32.768kHz（副系統(tǒng)時(shí)鐘：fSUB = 32.768 kHz）? | ||||||||||||||
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時(shí)鐘輸出／蜂鳴器輸出? |
－? |
1路? |
1路? |
2路? | ||||||||||||
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·2.44 kHz, 4.88 kHz, 9.76 kHz, 1.25 MHz, 2.5 MHz, 5 MHz, 10 MHz（周邊硬件時(shí)鐘：fMAIN = 20 MHz工作時(shí)）? ·256 Hz, 512 Hz, 1.024 kHz, 2.048 kHz, 4.096 kHz, 8.192 kHz, 16.384 kHz, 32.768 kHz（子系統(tǒng)時(shí)鐘：fSUB = 32.768 kHz工作時(shí)）? | ||||||||||||||||
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10位精度A/D轉(zhuǎn)換器? （AVREF = 1.8～5.5 V）? |
10通道? |
11通道? |
11通道? |
12通道? | ||||||||||||
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串行接口? |
·CSI：2通道/UART（支持LIN-bus）：1通道? ·CSI：1通道/UART：1通道／簡易I2C：1通道? | |||||||||||||||
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? |
I |
－? |
1通道? |
1通道? |
1通道? | |||||||||||
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乘除法器? |
16位×16位 = 32位（乘法運(yùn)算）? 32位÷32位 = 32位（除法運(yùn)算）? | |||||||||||||||
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DMA控制? |
2通道? | |||||||||||||||
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中斷源? |
內(nèi)部? |
24? |
25? |
25? |
25? | |||||||||||
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外部? |
9? | |||||||||||||||
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按鍵中斷? |
6通道（KR0-KR5）? |
8通道（KR0-KR7）? | ||||||||||||||
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復(fù)位? |
·看門狗計(jì)時(shí)器的內(nèi)部復(fù)位? ·上電復(fù)位的內(nèi)部復(fù)位? ·低電壓檢測電路的內(nèi)部復(fù)位? ·執(zhí)行非法指令的內(nèi)部復(fù)位注4? | |||||||||||||||
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上電清零電路? |
·上電復(fù)位：1.61±0.09 V? ·掉電復(fù)位：1.59±0.09 V? | |||||||||||||||
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低電壓檢測電路? |
1.91 V～4.22 V（16階段）? | |||||||||||||||
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片上調(diào)試功能? |
有? | |||||||||||||||
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電源電壓? |
VDD = 1.8～5.5 V? | |||||||||||||||
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工作周圍環(huán)境溫度? |
TA = －40～＋ | |||||||||||||||
注?
1. 開發(fā)中?
2. 使用自編程功能時(shí)是2K字節(jié)?