基于反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計實例
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摘要： 在這部分展示一個實例，適配器采用FSDM311，工作規(guī)范AC85～265V的輸入電壓范圍。10W 輸出功率、5V輸出電壓、67kHz的開關(guān)頻率。此時，RCD吸收回路選擇1 nF吸收電容，480kΩ吸收電阻，圖1示出波形。
關(guān)鍵詞：
RCD
Abstract：
Key words :
在這部分展示一個實例，適配器采用FSDM311，工作規(guī)范AC85～265V的輸入電壓范圍。10W 輸出功率、5V輸出電壓、67kHz的開關(guān)頻率。此時，RCD吸收回路選擇1 nF吸收電容，480kΩ吸收電阻，圖1示出波形。
漏電壓（Vds 200V／div）、電源電壓（VCC 5V／div）、反饋電壓（Vfb 1V／div）、漏電流（Id 0.2A/div）按下面次序，內(nèi)部MOSFET最大電壓應(yīng)為675V，數(shù)據(jù)表中給出為650V。超出此值有二個原因，其一是變壓器設(shè)計不當；其二是吸收回路設(shè)計不當，1 nF 電容和480k0電阻的穩(wěn)態(tài)波形如圖2 所示，給出比較正確的結(jié)果。
如上所述，為可靠性，穩(wěn)態(tài)時最大電壓應(yīng)為MOSFET耐壓的80%，即520V。圖顯示為570V（AC 256V）。當然，VIN＋nVo為（375V＋15×5V）＝450V，顯示變壓器匝數(shù)比為15，此是合理的值。因此，吸收回路應(yīng)重新設(shè)計如下：
圖1 1nF電容和480kΩ電阻的起動波形
圖2 1nF電容和480kΩ電阻的穩(wěn)態(tài)波形
讓Vsm為nV0的兩倍，即150V。LIK1及Ipeak為150μH和400mA，于是求出:
讓Vsm為nV0的兩倍，即150V。LIK1及Ipeak為150μH和400mA，于是求出:
電阻功耗計算如下：
最后，選擇Csn為10nF，Rsn為1.4kΩ／3 W。測試下來，MOSFET的電壓應(yīng)力為J 593V（起動時）和
524V（穩(wěn)態(tài)），分別為所選FSDM311耐壓的91.2％和80.6%合格。10nF電容和14kΩ電阻的起動波形如圖3所示，穩(wěn)態(tài)波形如圖4所示。
524V（穩(wěn)態(tài)），分別為所選FSDM311耐壓的91.2％和80.6%合格。10nF電容和14kΩ電阻的起動波形如圖3所示，穩(wěn)態(tài)波形如圖4所示。
圖3 10nF電容和14kΩ電阻的起動波形
圖410nF電容和14kΩ電阻的穩(wěn)態(tài)波形
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