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開關電源中RC緩沖電路的設計
摘要: 在帶變壓器的開關電源拓撲中,開關管關斷時,電壓和電流的重疊引起的損耗是開關電源損耗的主要部分,同時,由于電路中存在雜散電感和雜散電容,在功率開關管關斷時,電路中也會出現過電壓并且產生振蕩。如果尖峰電壓過高,就會損壞開關管。同時,振蕩的存在也會使輸出紋波增大。為了降低關斷損耗和尖峰電壓,需要在開關管兩端并聯緩沖電路以改善電路的性能。
Abstract:
Key words :

O 引言

在帶變壓器的rch/?q=開關電源" title="開關電源">開關電源拓撲中,開關管關斷時,電壓和電流的重疊引起的損耗是開關電源損耗的主要部分,同時,由于電路中存在雜散電感和雜散電容,在功率開關管關斷時,電路中也會出現過電壓并且產生振蕩。如果尖峰電壓過高,就會損壞開關管。同時,振蕩的存在也會使輸出紋波增大。為了降低關斷損耗和尖峰電壓,需要在開關管兩端并聯緩沖電路以改善電路的性能。

緩沖電路的主要作用有:一是減少導通或關斷損耗;二是降低電壓或電流尖峰;三是降低dV/dt或dI/dt。由于MOSFET管的電流下降速度很快,所以它的關斷損耗很小。雖然MOSFET管依然使用關斷緩沖電路,但它的作用不是減少關斷損耗,而是降低變壓器漏感尖峰電壓。本文主要針對MOSFET管的關斷緩沖電路來進行討論。

1 RC緩沖電路設計

在設計RC緩沖電路時,必須熟悉主電路所采用的拓撲結構情況。圖l所示是由RC組成的正激變換器的緩沖電路。圖中,當Q關斷時,集電極電壓開始上升到2Vdc,而電容C限制了集電極電壓的上升速度,同時減小了上升電壓和下降電流的重疊,從而減低了開關管Q的損耗。而在下次開關關斷之前,C必須將已經充滿的電壓2Vdc放完,放電路徑為C、Q、R。

假設開關管沒帶緩沖電路,圖1所示的正激變換器的復位繞組和初級繞組匝數相同。這樣,當Q關斷瞬間,儲存在勵磁電感和漏感中的能量釋放,初級繞組兩端電壓極性反向,正激變換器的開關管集電極電壓迅速上升到2Vdc。同時,勵磁電流經二極管D流向復位繞組,最后減小到零,此時Q兩端電壓下降到Vdc。圖2所示是開關管集電極電流和電壓波形。可見,開關管不帶緩沖電路時,在Q關斷時,其兩端的漏感電壓尖峰很大,產生的關斷損耗也很大,嚴重時很可能會燒壞開關管,因此,必須給開關管加上緩沖電路。

當開關管帶緩沖電路時,其集電極電壓和電流波形如圖3所示(以正激變換器為例)。

在圖1中,當Q開始關斷時,其電流開始下降,而變壓器漏感會阻止這個電流的減小。一部分電流將繼續通過將要關斷的開關管,另一部分則經RC緩沖電路并對電容C充電,電阻R的大小與充電電流有關。

Ic的一部分流進電容C,可減緩集電極電壓的上升。通過選取足夠大的C,可以減少集電極的上升電壓與下降電流的重疊部分,從而顯著降低開關管的關斷損耗,同時還可以抑制集電極漏感尖峰電壓。

圖3中的A-C階段為開關管關斷階段,C-D為開關管導通階段。在開關管關斷前,電容C兩端電壓為零。在關斷時刻(B時刻),C會減緩集電極電壓的上升速度,但同時也被充電到2Vdc(在忽略該時刻的漏感尖峰電壓的情況下)。

電容C的大小不僅影響集電極電壓的上升速度,而且決定了電阻R上的能量損耗。在Q關斷瞬間,C上的電壓為2Vdc,它儲存的能量為0.5C(2Vdc)2焦耳。如果該能量全部消耗在R上,則每周期內消耗在R上的能量為:

對限制集電極上升電壓來說,C應該越大越好;但從系統效率出發,C越大,損耗越大,效率越低。因此,必須選擇合適的C,使其既能達到一定的減緩集電極上升電壓速度的作用,又不至于使系統損耗過大而使效率過低。

在圖3中,由于在下一個關斷開始時刻(D時刻)必須保證C兩端沒有電壓,所以,在B時刻到D時刻之間的某時間段內,C必須放電。實際上,電容C在C-D這段時間內,也可以通過電阻R經Q和R構成的放電回路進行放電。因此,在選擇了一個足夠大的C后,R應使C在最小導通時間ton內放電至所充電荷的5%以下,這樣則有:

式(1)表明R上的能量損耗是和C成正比的,因而必須選擇合適的C,這樣,如何選擇C就成了設計RC緩沖電路的關鍵,下面介紹一種比較實用的選擇電容C的方法。

事實上,當Q開始關斷時,假設最初的峰值電流Ip的一半流過C,另一半仍然流過逐漸關斷的Q集電極,同時假設變壓器中的漏感保持總電流仍然為Ip。那么,通過選擇合適的電容C,以使開關管集電極電壓在時間tf內上升到2Vdc(其中tf為集電極電流從初始值下降到零的時間,可以從開關管數據手冊上查詢),則有:

因此,從式(1)和式(3)便能計算出電容C的大小。在確定了C后,而最小導通時間已知,這樣,通過式(2)就可以得到電阻R的大小。

2 帶RC緩沖的正激變換器主電路設計

2.1 電路設計

圖4所示是一個帶有RC緩沖電路的正激變換器主電路。該主電路參數為:Np=Nr=43匝。Ns=32匝,開關頻率f=70 kHz,輸入電壓范圍為直流48~96 V,輸出為直流12 V和直流0.5 A。

開關管Q為MOSFET,型號為IRF830,其tf一般為30 ns。

Dl、D2、D3為快恢復二極管,其tf很小(通常tf=30 ns)。

本設計的輸出功率P0=V0I0=6 W,假設變換器的效率為80%,每一路RC緩沖電路所損耗的功率占輸出功率的1%。這里取Vdc=48 V。

2.2 實驗分析

下面分兩種情況對該設計進行實驗分析,一是初級繞組有緩沖,次級無緩沖;二是初級無緩沖,次級有緩沖。

(1)初級繞組有緩沖,次級無緩沖

該實驗測量的是開關管Q兩端的漏源電壓,實驗分以下兩種情況:

第一種情況是RS1=1.5 kΩ,CS1不定,輸入直流電壓Vdc為48 V。

其實驗結果為:在RS1不變的情況下,CSl越大,雖然開關管Q的漏感尖峰電壓無明顯降低,但它的漏源電壓變得平緩了,這說明在初級開關管的RC緩沖電路中,CSl應該選擇比較小的值。

第二種情況是CSl=33 pF,RS1不定,輸入直流電壓Vdc為48 V。其結果是:當CS1不變時,RS1越大,開關管Q的漏感尖峰電壓越大(增幅比較小)。

可見,RC緩沖電路中,參數R的大小對降低漏感尖峰有很大的影響。在選定一個合適的C,同時滿足式(2)時,R應該選擇比較小的值。

(2)次級繞組有緩沖,初級無緩沖

本實驗以D2、D3的陰極作為公共端來測量快恢復二極管的端壓,其結果是,當R不變時,C越大,二極管兩端的漏感尖峰越小。同時理論上,如果C為無窮大時,二極管兩端的電壓中就沒有漏感尖峰。而在實際中,只需讓二極管兩端電壓的漏感尖峰電壓在其端壓峰值的30%以內就可以滿足要求了,這樣同時成本也不會太高。

2.3 設計參數的確定

通過實驗分析可見,在次級快恢復二極管的RC緩沖電路中,當選擇了適當大小的電容C時,在滿足式(2)的情況下,電阻R應該選擇得越小越好。

最終經過實際調試,本設計選擇的RC緩沖電路參數為:

初級:RS1=200,CSl=100 pF

次級:RS2=RS3=5l,CS2=CS3=1000 pF

本設計的初級開關管的RC緩沖電路中的C值雖然選得稍微比計算值大一些,但損耗也不是很大,因此還是可以接受的。相對初級而言,次級快恢復二極管的RC緩沖電路中的C值就選得比計算值大得多,系統的損耗必然增大。但是,并聯在快恢復二極管兩端的RC緩沖電路主要是為了改善系統輸出性能,因此選擇比較大的C值雖然會使系統的整體效率降低,但二極管兩端的漏感尖峰就減小了很多,而且輸出電壓的紋波也可以達到指定要求。

3 結束語

根據以上給出的公式,可以很好而且很方便地選擇出合適的RC緩沖電路。但是在工程應用中,應該根據系統設計的性能指標,通過實際調試才能得到真正合適的參數。有時候,為了達到系統的性能指標,犧牲一定的效率也是必要的。總之,在設計RC緩沖電路參數時,必須綜合考慮系統性能和效率,最終選擇合適的RC參數。

 

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