圖1所示電路給出MAX13030E-MAX13035E邏輯電平轉(zhuǎn)換器IC在存儲(chǔ)卡信號(hào)邏輯電平轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用，并可保護(hù)信號(hào)避免在±15kV HBM (人體模型) ESD沖擊情況下?lián)p壞。例如，MAX13035E可從任意存儲(chǔ)卡控制器(如基帶處理器、應(yīng)用處理器或多媒體處理器)獲得1.8V信號(hào)，并自動(dòng)將其轉(zhuǎn)換到3.3V。該器件可進(jìn)行雙向電平轉(zhuǎn)換(3.3V轉(zhuǎn)換為1.8V)，適用于SD卡、MMC、Transflash? (microSD)、MiniSD、記憶棒、記憶棒PRO以及類似的存儲(chǔ)卡。

這些器件采用獨(dú)特的設(shè)計(jì)架構(gòu)，無需使用方向(DIR)或?qū)?讀(W/R)控制端指示數(shù)據(jù)方向，具有如下好處：首先，只需極少的信號(hào)線，可大大減小MAX13035E系列的封裝尺寸，采用2mm x 2mm、16焊球UCSP封裝。其次，原本用于指示信號(hào)方向的基帶處理器I/O可用作其它目的，由于減少了數(shù)據(jù)線，可以獲得緊湊的電路板布局。

       MAX13035E專有的設(shè)計(jì)架構(gòu)還可利用內(nèi)部電流源檢驗(yàn)高阻輸入時(shí)的總線狀態(tài)，這種設(shè)計(jì)無需外部上拉或下拉電阻。通道間可相互轉(zhuǎn)換，并且兼容高達(dá)50MHz (100Mbps)的CMOS推挽信號(hào)和200kHz (400kbps)的開漏信號(hào)。這一靈活性非常適合MMC存儲(chǔ)卡接口的漏極開路應(yīng)用(初始化模式)。

       當(dāng)VCC < VL，如VCC斷開時(shí)，MAX13035E和MAX13030E系列的其它器件都將關(guān)斷。MAX13030E-MAX13034E帶有一個(gè)EN引腳，驅(qū)動(dòng)該引腳為低時(shí)，器件處于低功耗關(guān)斷狀態(tài)。MAX13035E沒有EN引腳，但可利用CLK_RET引腳代替，將時(shí)鐘信號(hào)反饋至主處理器，如圖2所示。某些SD卡控制器可利用該信號(hào)提高性能。

       MAX13015E系列器件在VCC側(cè)的所有I/O端都提供高達(dá)±15kV (HBM)的增強(qiáng)ESD保護(hù)功能。需采用一只1μF的陶瓷電容旁路VCC，確保滿足ESD保護(hù)要求。

       圖1電路還給出了如何采用MAX3202EE對(duì)CARD_DETECT信號(hào)和WRITE_PROTECT信號(hào)提供ESD保護(hù)。采用該電路時(shí)，推薦使用由SD卡連接器提供的CARD_DETECT，而不是DAT3的上拉電阻。這是因?yàn)镸AX13035E不支持卡檢測(cè)的上拉。