1.引言

　　熱阻" title="熱阻">熱阻可以反映芯片、焊接層和管殼的燒結或粘結等質量問題，熱阻特性對晶體管" title="晶體管">晶體管的可靠性有著至關重要的影響。利用晶體管ΔVbe參數(shù)與熱阻在一定條件下滿足某種數(shù)學關系式，通過測量" title="測量">測量晶體管ΔVbe參數(shù)間接地測試熱阻參數(shù)，具有測量效率高、成本低、對器件無損傷等優(yōu)點，但是晶體管熱特性具有復雜、敏感及不穩(wěn)定的特點。要達到實用需要的測量精度有較大的難度，目前，國外已研制出原理性的熱阻測試系統(tǒng)。國內市場迫切需要性價比較高的晶體管測試篩選設備。

　　本系統(tǒng)能對功率雙極型晶體管 (NPN 和 PNP 型) 測量瞬態(tài)熱阻和穩(wěn)態(tài)熱阻，還能測試二極管和發(fā)光管熱阻。通過加載測試條件到測試系統(tǒng)，根據(jù)晶體管的熱阻特性反映的溫度變化，在計算機屏幕上顯示測量數(shù)據(jù)，并根據(jù)測試結果進行快速篩選。系統(tǒng)具有接觸檢測和震蕩探測功能，以防止接觸不良和震蕩造成的溫度測量錯誤，系統(tǒng)還具有防雪崩的自我保護電路，可用作測量安全工作區(qū)SOA (safe operating area)，以提高了測試系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

　　2.熱阻測試技術

　　晶體管的熱阻一般由芯片熱阻、芯片管座接觸熱阻和管殼熱阻組成。生產中與芯片燒結有關的芯片管座接觸熱阻最難以控制，燒結不好，會使管座芯片熱阻大大增加，使用中會由于結溫過高而導致器件失效。

　　晶體管在脈沖工作狀態(tài)下的熱阻為結溫升值與耗散脈沖功率幅值之比。對功率晶體管通常以殼溫作為溫度參考點，其表達式為：θjc=(Tj-Tc)/P，其中Tj為芯片結溫，Tc為殼溫，P為脈沖功率。熱阻測量歸結為對脈沖功耗P、Tc殼溫及結溫Tj的測量，顯然晶體管的結溫Tj無法進行直接測量。為此，利用發(fā)射結的正向壓降Vbe與結溫Tj在一定的范圍內有很好的線性關系：ΔVbe =M·ΔTj，其中M為溫敏參數(shù)，這一關系被用作測量晶體管器件熱阻的物理基礎，而測量ΔVbe需要設定以下幾個主要參數(shù)，它們分別是Vcb（C，B極間電壓）；Ie（加載電流）；Im (感應電流)；Pt（功率時間）；Dt（延遲時間）；upper limit(上限)；lower limit(下限)。由于各個生產廠家在工藝上的一些差別，有時雖為同一型號的管子，但屬于不同廠家的產品，施加的脈沖功率、測試時間及選擇的溫敏參數(shù)都有所不同。

　　3.測試系統(tǒng)構架

　　熱阻測試系統(tǒng)的基本構架是計算機通過軟件控制精密模擬和數(shù)字電路，實現(xiàn)對被測器件的條件施加→結果采樣→篩選→計算→比較→判別等一系列程序控制，完成對被測器件電參數(shù)的自動測試，每次測試的全過程小于0.2秒。系統(tǒng)主要有模擬多路板、數(shù)字多路板、ADC板、Im 板、Ie板和Vcb板組成，如圖1所示。

圖1熱阻測試系統(tǒng)的基本構架

　　4.Δvbe測試流程圖

　　ΔVbe是晶體管的一個重要參數(shù)，它與晶體管的熱阻有一個定量的線性關系，它反映了晶體管的功耗能力，對晶體管的封裝工藝及失效分析有著重要的指導意義，對ΔVbe測試流程如下圖2所示。

圖2 Δvbe測試系統(tǒng)流程圖

　　5.軟件功能實現(xiàn)模塊

　　系統(tǒng)軟件設計則是使用visual C++語言和匯編語言二者相結合完成的，軟件功能實現(xiàn)模塊有：

　　1、戶管理模塊，程序運行時需要確定用戶的身份，用戶類型有操作員、維護員、工程師、系統(tǒng)管理員。操作員權限是運行測試程序；維護員權限是測試儀器的自檢和校準；工程師權限是編輯測試程序；系統(tǒng)管理員具有全部權限。

　　2、編輯模塊，用于器件選擇、分類設置、調試、建立測試程序，初始測試程序的界面如圖3所示：

圖3 初始測試程序界面

　　3、運行模塊，根據(jù)用戶的參數(shù)設置，對器件進行測試，并將測試結果和數(shù)據(jù)顯示在計算機屏幕上。

　　4、其它模塊，有系統(tǒng)工具、篩選模塊、打印模塊等。系統(tǒng)工具，具有自檢校準儀器，用于對熱阻測試系統(tǒng)的自檢、校準、磁場測試；篩選模塊，可根據(jù)用戶設置的篩選條件，對器件進行不同測試，將測試結果發(fā)送到篩選機；打印模塊，可根據(jù)預先設置，將測試結果和數(shù)據(jù)以相應格式打印，供分析和存檔。