背靠背MOSFET" title="MOSFET">MOSFET管Q1-A和Q1-B都接到V（IN1）（5V）電源,而Q3-A和Q3-B接到V（IN2）（3.3V）電源。使用背靠背MOSFET管的原因是防止內(nèi)部二極管與5V和3.3V電源短路。LTC1645" title="LTC1645">LTC1645的Gate1引腳控制Q3-A和Q3-B,Gate2引腳控制Q1-A和Q1-B。ON引腳對(duì)Gate1的導(dǎo)通門限電壓為0.8V,對(duì)Gate2的導(dǎo)通門限電壓為2.0V。V（CC1）和V（CC2）引腳的欠壓鎖定門限分別為2.3V和1.2V。因?yàn)閳D1所示電路選用了兩個(gè)電源電壓,所以有可能出現(xiàn)以下兩種情況：  

圖1：LTC1645與LTCI1735（采用SEPIC變換器）構(gòu)成3.3V和5V熱插拔" title="熱插拔">熱插拔電路

　　情況1：提供5V和3.3V電源

　　當(dāng)5V和3.3V電源電壓分別加到V（IN1）和V（IN2）時(shí),D1將V（CC1）,V（CC2）,Sense1和Sense2引腳上拉到大約4.7V,用來(lái)清除V（CC1）和V（CC2）的欠壓鎖定門限。COMP（+）引腳被R2與R6構(gòu)成的分壓器上拉到2.5V。因?yàn)镃OMP（+）引腳的電壓（內(nèi)部比較器的同相輸入端）比1.24V門限電壓高,所以COMPOUT引腳（比較器的漏極開路輸出）被R7上拉到5V。這樣使Q5導(dǎo)通,并將Q3-A和Q3-B的柵極下拉到地。ON引腳被R1,R4和R8上拉到2.74V左右。在一個(gè)工作周期（t=C2·1.24V/2μA）之后,來(lái)自電荷泵的10μA內(nèi)部電源源接到Gate1和Gate2引腳。Gate1引腳被Q5下拉到地,而Gate2引腳的電壓開始上升,其斜率規(guī)定為dV/dt=10μA/C1。內(nèi)部電荷泵保證Gate2引腳電壓大約上升到12V。當(dāng)Gate2引腳上升到1V左右時(shí),Q1-A和Q1-B開始導(dǎo)通,并且V（OUT_HOT_SWAP）開始上升。輸出電壓將平穩(wěn)地上升輸入電壓,這里是5V。圖2分別示出了Gate2和V（OUT_HOT_SWAP）引腳電壓分別上升到12V和5V時(shí)的特性曲線。 

圖2：V（GATE2）和V（OUT_HOT_SWAP）引腳電壓分別增加到12V和15V