《電子技術(shù)應(yīng)用》
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大功率變頻可調(diào)電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
摘要: 正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)速技術(shù)在工業(yè)控制領(lǐng)域的應(yīng)用日見(jiàn)廣泛。許多電力測(cè)試儀器都要求大功率、高性能以滿足電力設(shè)備的測(cè)試要求。目前,市場(chǎng)上的大功率開關(guān)電源,其核心功率器件大都采用MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管,它們都不能滿足小型、高頻、高效率的要求。
Abstract:
Key words :

  1 引言

  正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)速技術(shù)在工業(yè)控制領(lǐng)域的應(yīng)用日見(jiàn)廣泛。許多電力測(cè)試儀器都要求大功率、高性能以滿足電力設(shè)備的測(cè)試要求。目前,市場(chǎng)上的大功率開關(guān)電源,其核心功率器件大都采用MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管,它們都不能滿足小型、高頻、高效率的要求。MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有開關(guān)速度快和電壓型控制的特點(diǎn),但其通態(tài)電阻大,難以滿足高壓大電流的要求;雙極型功率晶體管雖然能滿足高耐壓大電流的要求,但沒(méi)有快速的開關(guān)速度,屬電流控制型器件,需要較大的功率驅(qū)動(dòng)。絕緣柵雙極型功率晶體IGBT集MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管于一體,具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、容量大等優(yōu)點(diǎn)。用高性能的絕緣柵雙極型功率晶體IGBT作開關(guān)逆變?cè)⒉捎米冾l調(diào)幅技術(shù)研制的逆變電源,具有效率高、性能可靠、體積小等優(yōu)點(diǎn)。

  2 工作原理

  該電源采用高頻逆變技術(shù)、數(shù)字信號(hào)發(fā)生器、正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)幅、時(shí)序控制上電和串聯(lián)諧振式輸出。電源具有效率高、輸出功率大、體積小等優(yōu)點(diǎn),其總體原理框圖如圖1所示。

總體原理框圖

  由數(shù)字信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的

 

正弦波被25kHz的三角調(diào)制波調(diào)制,得到一個(gè)正弦脈寬調(diào)制波,經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)逆變?cè)蘒GBT。改變正弦波的頻率,幅值便可達(dá)到調(diào)頻調(diào)幅輸出,逆變輸出為串聯(lián)諧振式輸出,將高頻載波信號(hào)濾掉,從而得到所需頻率的正弦信號(hào)。時(shí)序控制電路用來(lái)控制功率源供電電源在上電時(shí)緩慢上電,確保電源上電時(shí)電流平穩(wěn),同時(shí)還避免非過(guò)零點(diǎn)開關(guān)帶來(lái)的沖擊;在控制電路中還設(shè)計(jì)了故障鎖定功能,一旦電源故障,鎖定功能將禁止開通IGBT,當(dāng)故障出現(xiàn)時(shí),IGBT被鎖點(diǎn)開通,這時(shí)大容量濾波電容會(huì)儲(chǔ)存很高的電能。所以,電源部分有故障保護(hù)自動(dòng)切斷工作電源和自動(dòng)放電功能,整機(jī)設(shè)計(jì)有雙重過(guò)流、過(guò)壓和過(guò)熱等完善的保護(hù)功能。   

  3 控制與驅(qū)動(dòng)電路

  控制電路指主控電路,包括正弦脈寬調(diào)制波的產(chǎn)生,占空比調(diào)節(jié)和故障鎖定電路。控制電路的正弦調(diào)制波,可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況調(diào)節(jié)其頻率。驅(qū)動(dòng)電路則采用三菱公司生產(chǎn)的IGBT專用驅(qū)動(dòng)模塊EXB840,該驅(qū)動(dòng)模塊能驅(qū)動(dòng)高達(dá)150A/600V和75A/1200V的IGBT,該模塊內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路使信號(hào)延遲≤1μs,所以適用于高達(dá)40kHz的開關(guān)操作。用此模塊要注意,IGBT柵射極回路接線必須小于1M,柵射極驅(qū)動(dòng)接線應(yīng)當(dāng)用絞線。EXB840的驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示。

EXB840的驅(qū)動(dòng)電路

  4 逆變與緩沖電路

  該電源采用半橋結(jié)構(gòu)串聯(lián)諧振逆變電路,主電路原理如圖3所示。在大功率IGBT諧振式逆變電路中,主電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)十分重要,由于電路中存在引線寄生電感,IGBT開關(guān)動(dòng)作時(shí)在電感上激起的浪涌尖峰電壓Ldi/dt不可忽視,由于本電源采用的是半橋逆變電路,相對(duì)全橋電路來(lái)說(shuō),將產(chǎn)生比全橋電路更大的di/dt。正確設(shè)計(jì)過(guò)壓保護(hù)即緩沖電路,對(duì)IGBT的正常工作十分重要。如果緩沖電路設(shè)計(jì)不當(dāng),將造成緩沖電路損耗增大,會(huì)導(dǎo)致電路發(fā)熱嚴(yán)重,容易損壞元件,不利于長(zhǎng)期工作。

半橋結(jié)構(gòu)串聯(lián)諧振逆變電路原理圖

半橋逆變電路的緩總電路

  過(guò)程是:當(dāng)VT2開通時(shí),隨著電流的上升,在線路雜散電感Lm的作用下,使得Uab下降到Vcc-Ldi/dt,此時(shí)前一工作周期以被充電到Vcc的緩沖電容C1,通過(guò)VT1的反并聯(lián)二極管VD1、VT2和緩沖電阻R2放電。在緩沖電路中,流過(guò)反并聯(lián)二極管VD1的瞬時(shí)導(dǎo)通電流ID1為流過(guò)線路雜散電感電流IL和流過(guò)緩沖電容C1的電流IC之和。即ID1=IL+I(xiàn)C,因此IL和di/dt相對(duì)于無(wú)緩沖電路要小得多。當(dāng)VT1關(guān)斷時(shí),由于線路雜散電感Lm的作用,使Uce迅速上升,并大于母線電壓Vcc,這時(shí)緩沖二極管VD1正向偏置,Lm中的儲(chǔ)能(LmI2/2)向緩沖電路轉(zhuǎn)移,緩沖電路吸收了貯能,不會(huì)造成Uce的明顯上升。

  5 緩沖元件的計(jì)算與選擇

  公式

  式中:f—開關(guān)頻率;Rtr—開關(guān)電流上升時(shí)間;IO—最大開關(guān)電流;Ucep—瞬態(tài)電壓峰值。

  在緩沖電路的元件選擇中,電容要選擇耐壓較高的電容,二極管最好選擇高性能的快恢復(fù)二極管,電阻要用無(wú)感電阻。

  6 結(jié)束語(yǔ)

  該電源已經(jīng)成功地應(yīng)用于大功率電力測(cè)試儀器,與傳統(tǒng)方法相比,不僅測(cè)量精度高,而且提高了工作效率,增加了工作安全性,降低了勞動(dòng)強(qiáng)度。

  參考文獻(xiàn)

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  3 田建等.大功率IGBT瞬態(tài)保護(hù)研究.電力電子技術(shù),2000(4)

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