二極管整流的缺點

　　圖1是非同步和同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖。非同步降壓轉(zhuǎn)換器使用FET和肖特基二極管作為開關(guān)器件（圖1a），當(dāng)FET打開時，能量傳遞到輸出電感和負(fù)載。當(dāng)FET關(guān)斷，電感中的電流流過肖特基二極管。如果負(fù)載電流高于輸出電感的紋波電流的一半，則轉(zhuǎn)換器工作在連續(xù)導(dǎo)通模式。根據(jù)正向電壓降和反向漏電流特性來選擇肖特基二極管。但是，當(dāng)輸出電壓降低時，二極管的正向電壓的影響很重要，它將降低轉(zhuǎn)換器的效率。物理特性的極限使二極管的正向電壓降難以降低到0.3V以下。相反，可以通過加大硅片的尺寸或并行連接分離器件來降低MOSFET的導(dǎo)通電阻R_DS(ON)。因此，在給定的電流下，使用一個MOSFET來替代二極管可以獲得比二極管小很多的電壓降。

　　這使得SR很有吸引力，特別是在對效率、轉(zhuǎn)換器尺寸和熱性能很敏感的應(yīng)用中，例如便攜式或者手持設(shè)備。MOSFET制造商不斷地引入具有更低R_DS(ON)和總柵極電荷（QG）的新MOSFET技術(shù)，這些新的MOSFET技術(shù)使在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中實現(xiàn)SR更加容易。

　　什么是同步整流？

　　例如，在同步降壓轉(zhuǎn)換器中，通過用兩個低端的MOSFET來替換肖特基二極管可以提高效率（圖1b）。這兩個MOSFET必須以互補的模式驅(qū)動，在它們的導(dǎo)通間隙之間有一個很小的死區(qū)時間（dead time），以避免同時導(dǎo)通。同步FET工作在第三象限，因為電流從源極流到漏極。與之對應(yīng)的非同步轉(zhuǎn)換器相比，同步降壓轉(zhuǎn)換器總是工作在連續(xù)導(dǎo)通，即使在空載的情況下也是。

　　在死區(qū)時間內(nèi)，電感電流流過低端FET的體二極管（body diode）。這個體二極管通常具有非常慢的反向恢復(fù)特性，會降低轉(zhuǎn)換器的效率。可以與低端FET并行放置一個肖特基二極管以對體二極管實現(xiàn)旁路，避免它影響到轉(zhuǎn)換器的性能。增加的肖特基二極管可以比非同步降壓轉(zhuǎn)換器中的二極管低很多的額定電流，因為它只在兩個FET都關(guān)斷時的較短的死區(qū)時間（通常低于開關(guān)周期的百分之幾）內(nèi)導(dǎo)通。

　　同步整流的好處

　　在高性能、高功率的轉(zhuǎn)換器中使用SR的好處是可以獲得更高的效率、更低的功耗、更佳的熱性能，以及當(dāng)同步FET并行連接時固有的理想電流共享特點，而且盡管采用自動組裝工藝（更高的可靠性）但還是可提高制造良率。如上面提到的那樣，若干個MOSFET可以并行連接來應(yīng)對更高的輸出電流。

　　因為在這種情況下有效的R_DS(ON)與并行連接的器件數(shù)量成反比，因此降低了導(dǎo)通損耗。同樣，R_DS(ON)具有正的溫度系數(shù)，因此FET將等量分享電流，有助于優(yōu)化在SR器件之間的熱分布，這將提高器件和PCB散熱的能力，直接改善設(shè)計的熱性能。SR帶來的其他潛在的好處包括更小的外形尺寸、開放的框架結(jié)構(gòu)、更高的環(huán)境工作溫度，以及更高的功率密度。

　　同步整流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計折中

　　在低電壓應(yīng)用中，設(shè)計工程師通常增加開關(guān)頻率以減小輸出電感和電容的尺寸，以此使轉(zhuǎn)換器尺寸最小化，并降低輸出紋波電壓。如果并聯(lián)多個FET，這樣的頻率增加也會增加?xùn)艠O驅(qū)動和開關(guān)損耗， 因此必須根據(jù)具體的應(yīng)用進行設(shè)計折中。例如，在高輸入電壓、低輸出電壓的同步降壓轉(zhuǎn)換器上，因為工作條件是高端FET比低端FET具有更低的RMS電流，因此高端FET應(yīng)該選擇具有低QG和高R_DS(ON)的器件。對于這個器件來說，降低開關(guān)損耗比導(dǎo)通損耗更重要。相反，低端FET承載更大的RMS電流，因此R_DS(ON)應(yīng)該盡可能低。

　　在同步轉(zhuǎn)換器中選擇具有更強驅(qū)動能力的控制器，通過使FET開關(guān)所用的時間最短，將能減少開關(guān)損耗。然而，更快的上升和下降時間可產(chǎn)生高頻噪聲，這種噪聲可以導(dǎo)致系統(tǒng)噪聲和EMI問題。

　　隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的同步整流轉(zhuǎn)換器驅(qū)動

　　采用隔離拓?fù)涞碾娫崔D(zhuǎn)換器被用在需要在系統(tǒng)地之間進行隔離的系統(tǒng)中。這樣的系統(tǒng)包括分布式總線架構(gòu)、以太網(wǎng)供電系統(tǒng)和無線基站（圖2）。

　　在隔離轉(zhuǎn)換器中采用SR可以大大地提高其性能。所有的隔離拓?fù)洌ㄕぁ⒎醇ぁ⑼仆臁霕蚝腿珮颍娏骱碗妷悍答仯┒伎梢赃M行同步整流。然而，在每個拓?fù)渲械腟R提供的足夠的、適時的柵極驅(qū)動信號都有其自身的挑戰(zhàn)性。

　　針對隔離拓?fù)涞拇渭塅ET的驅(qū)動方案基本上有兩種：自驅(qū)動?xùn)艠O信號直接從次級變壓器繞組獲得，控制驅(qū)動?xùn)艠O信號從PWM控制器或一些其他初級的基準(zhǔn)信號獲得。對于一個給定 的應(yīng)用，這些驅(qū)動可以有幾種不同的實現(xiàn)方法。設(shè)計師應(yīng)該選擇能滿足性能要求的最簡單的解決方案。

　　自驅(qū)動方案是最簡單、直接的SR驅(qū)動方案（圖3），適合于那些在任何時間段內(nèi)變壓器電壓都不為零的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。兩個SR FET可替代輸出整流二極管，次級繞組產(chǎn)生的電壓驅(qū)動SR的柵極。在大多數(shù)情況下，利用不同的變壓器線圈匝數(shù)比（NP∶ NS1∶NS2）和正確選擇SR FET，相同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以獲得更高或更低的輸出電壓。

　　對于那些變壓器電壓周期性歸零，并維持為零的拓?fù)鋪碚f，自驅(qū)動SR的主要問題是，在這些間隙時間內(nèi)沒有信號來驅(qū)動SR FET的柵極。

　　在這些時間內(nèi)，SR的寄生二極管導(dǎo)通，這樣就增加了功率損耗。更低的輸出電壓可能需要額外的繞組來增加施加在SR FET柵極上的工作電壓到一個足夠的水平。由于次級線圈電壓隨輸入線電壓而變化，SR柵極上的電壓將改變。由于R_DS(ON)決定于柵極-源極電壓（VGS），因此將影響到效率。在寬輸入電壓范圍的轉(zhuǎn)換器中，R_DS(ON)的變化范圍可以高達(dá)2∶1。

　　有一個可替代的柵極驅(qū)動方法，該方法可以用于基于變壓器的拓?fù)洹Ｔ诘碗妷骸⒏唠娏鞯膽?yīng)用中，這些驅(qū)動方法既可減少與死區(qū)時間間隙相關(guān)的損耗，又可產(chǎn)生幅度幾乎不變的柵極驅(qū)動脈沖，因此效率不會受到線電壓的變化帶來的負(fù)面影響。

　　控制驅(qū)動方案可以解決自驅(qū)動方法的局限。然而，它們通常更加復(fù)雜，而且昂貴。根據(jù)自驅(qū)動方案的器件密度，控制驅(qū)動方案實際上可能是更好的選擇。用于驅(qū)動SR FET的控制信號可以從原級或次級端參考控制器獲得。

　　應(yīng)用實例

　　LM2747是美國國家半導(dǎo)體公司新推的一款PWM同步降壓控制器，適合為有線調(diào)制解調(diào)器、DSL、ADSL、激光和噴墨打印機、便攜式運算應(yīng)用、ASIC、DSP及FPGA等內(nèi)核提供穩(wěn)壓供電，典型應(yīng)用電路如圖4所示。該芯片電壓反饋準(zhǔn)確度可達(dá)1%，對于工作電壓低于1V的內(nèi)核來說，這個準(zhǔn)確度尤其重要。此外，該芯片也可支持高頻操作，因此有助于縮小電源系統(tǒng)的體積。

　　該芯片的最短導(dǎo)通時間只有40ns，因此以1MHz開關(guān)頻率工作時，可以利用12V供電電壓提供0.6V的輸出。LM2747芯片還有其他功能，包括預(yù)偏壓負(fù)載啟動、跟蹤功能的軟啟動、確保順序供電的高精度，以及外置時鐘同步功能，后者的作用是避免外置時鐘輕易與其他供電系統(tǒng)及負(fù)載極為靈敏的電路產(chǎn)生相互影響。

　　在低輸出電壓、大輸出電流的系統(tǒng)應(yīng)用中，同步開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器比非同步轉(zhuǎn)換器具有更高的性能。確保針對SR的正確柵極驅(qū)動信號定時是工程師使轉(zhuǎn)換器性能最大化需要解決的重要任務(wù)。