隨著半導體制程邁入2nm制程時代，手機芯片大廠高通（Qualcomm）與聯(lián)發(fā)科（MediaTek）都在準備下一代旗艦移動芯片，即驍龍（Snapdragon）8 Elite Gen 6與天璣（Dimensity）9600。然而，這兩家手機芯片廠商接下來不僅需要向晶圓代工龍頭臺積電支付高昂的2nm代工費用，現(xiàn)在更必須應對LPDDR6 DRAM 價格的急劇上漲所帶來的困境。

市場消息指出，由于LPDDR6內(nèi)存價格不斷攀升，下一代內(nèi)存技術預計將只會應用于驍龍8 Elite Gen 6 與天璣9600 旗艦級芯片中，而且預計只有“Pro等級”的芯片將在2026年搭載LPDDR6 DRAM 芯片。這意味著，雖然LPDDR6 技術代表著性能的提升，但其高昂的成本將使其在初期難以普及到非旗艦級設備。因此，包括晶圓代工與內(nèi)存上漲的雙重成本壓力，預計將對高通和聯(lián)發(fā)科的智能手機合作伙伴造成巨大負面影響。

然而，市場也有傳言稱，中國內(nèi)存制造商正在準備于2026年大規(guī)模生產(chǎn)LPDDR6 DRAM 技術。如果此消息屬實，這或許能為高通的驍龍8 Elite Gen 6 和聯(lián)發(fā)科聯(lián)發(fā)科9600 在內(nèi)存采購價格上提供一定的談判籌碼或定價優(yōu)勢。

面對成本壓力與市場需求的分化，高通預計將針對其下一代旗艦芯片采取差異化策略。高通據(jù)稱將推出兩個版本的驍龍8 Elite Gen 6，也就是標準版和頂級的驍龍8 Elite Gen 6 Pro。市場消息指出，這兩個版本之間的主要差異在于：頂級的Pro 版本將配備更快的GPU，并支持更快的LPDDR6內(nèi)存。

三星最新曝光的LPDDR6內(nèi)存采用的是12nm制程，傳輸速率為 10.7Gbps，I/O 通道數(shù)量進一步提升。而得益于動態(tài)電源管理系統(tǒng)，其能效提升了約 21%。

在當前DRAM芯片價格持續(xù)上漲，明年一整年都難以緩解的背景下，無論是否采用最新的LPDDR6，內(nèi)存成本無疑都會大幅上漲，這將會對2026年的旗艦設備造成不利影響。另一方面，高通和聯(lián)發(fā)科的最新旗艦移動芯片還需要為臺積電2nm晶圓代工支付約每片3萬美元的高昂成本，因此定價或?qū)⑦M一步增長。

值得注意的是，即使面臨高昂的成本，高通和聯(lián)發(fā)科仍在制程選擇上尋求微小的性能優(yōu)勢。有傳言指出，兩家芯片制造商將利用臺積電稍加改進的2nm（N2P）構(gòu)架。盡管N2P 節(jié)點相較于標準的N2 制程僅提供了大約5%的性能提升，高通和聯(lián)發(fā)科仍希望借此獲得超越蘋果（Apple）公司的優(yōu)勢。據(jù)悉，蘋果將堅持為其A20 和A 20 Pro 芯片使用標準的2nm（N2）制程。不過，高通和聯(lián)發(fā)科這種追求性能優(yōu)勢的舉動，卻可能導致驍龍8 Elite Gen 6 和天璣9600 的定價進一步上升。

所以，對于終端設備廠商來說，接下來將面臨著存儲芯片和移動SoC芯片價格上漲所帶來的成本上漲，終端設備勢必也將面臨漲價的壓力，但是這將會抑制消費者的購買欲。如果要保障出貨量，那么高通、聯(lián)發(fā)科和手機終端廠商都需要降低產(chǎn)品的漲價幅度，但這會侵蝕自身的毛利率。