據外媒Wccftech近日報道，根據The Futurum Group半導體分析師Ray Wang通過社交平臺X公布的信息稱，臺積電A14制程的“良率表現”（yield performance）進展已經超初原定進度。
根據Wang提供的信息，臺積電A16制程整合了片電晶體、超級電軌（SPR）及創新的背面接面（backside contact）設計，相較于N2P制程，A16的速度提升8~10%、功耗降低15~20%，芯片密度增加約1.1倍，非常適合用于需要復雜訊號傳輸、穩定供電的高效能運算（HPC）產品。
相較之下，A14完整接續N2制程，專為AI及智慧型手機應用量身打造，具備進階的NanoFlex Pro單元架構。
與N2相比，A14速度提升最多15%、功耗降低最多30%，芯片密度增加超過20%，可帶來更快的運算速度、更高的效率，并提升終端裝置的AI效能。
Wang提供的數據顯示，A14的開發進展順利，其良率表現已超前原定進度。
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