9月22日消息，近日，市場研究機構YOLE Group表示，硅光子技術推動網絡帶寬不斷突破，助力AI網絡規模化擴展。其市場規模將從2024年的2.78億美元激增至2030年的27億美元，預計實現46%的復合年增長率。
在數據中心領域（尤其是AI和機器學習），傳統處理器架構正面臨物理極限，而硅光子技術實現的高速通信對支撐更快速計算至關重要。不斷增長的帶寬需求不僅推動硅光子技術進步，也促進薄膜鈮酸鋰技術的發展，從而提升網絡數據傳輸能力。
光子集成電路，尤其是絕緣體上硅（SOI）和絕緣體上鈮酸鋰（LNOI），為具有大規模、可擴展性的應用提供了多功能平臺，尤其在數據中心領域，中國企業正崛起為新的領軍者。憑借硅材料性能的穩定性，電信領域成為另一大應用場景。
此外，光學LiDAR、3D集成、量子計算、光學陀螺儀甚至醫療光子學都蘊含巨大潛力，盡管部分應用仍面臨技術和監管挑戰。硅光子技術向可見光波段的延伸，未來可能催生更多創新應用。
業界對硅光子技術所能創造的價值持樂觀態度，產業生態呈現多元化格局。垂直整合巨頭（如旭創科技、思科、Marvell、博通、Lumentum、新易盛）積極布局。
初創企業/設計公司（Xphor、DustPhotonics、NewPhotonics、OpenLight、POET Technologies、Centera、AyarLabs、Lightmatter、Lightelligence、Nubis Communications）持續創新。
科研機構（加州大學圣巴巴拉分校、哥倫比亞大學、斯坦福工程學院、麻省理工學院）提供技術支撐。
代工廠（Tower Semiconductor、GlobalFoundries、英特爾、AMF、imec、臺積電、CompoundTek）保障制造能力。
設備供應商（Applied Materials、ASML、Aixtron、ficonTEC、Mycronic Vanguard Automation、Shincron）完善產業鏈。
中國在硅光子領域取得顯著進展，正致力于確立全球領導地位。中國企業聚焦自主創新并提升高速光通信產品量產能力，加速縮小與西方同行的差距，這使中國成為該領域的重要參與者。
值得一提的是，更高單通道速率推動單端口以太網速度達到3.2Tbps（甚至更高），同時實現能效提升和激光器數量減少。更少的激光器數量降低資本支出，簡化供應鏈，并縮減散熱和供電的運營成本。這一發展趨勢為更多技術平臺的涌現創造機會：基于材料固有特性，LNOI和磷化銦（InP）成為未來高速連接的更優選擇。
數據中心網絡對可擴展、節能和成本效益的光學解決方案日益迫切，催生了SOI（TFLN、BTO和聚合物）、LNOI和InP平臺之間的激烈競爭。各平臺均具備獨特優勢與挑戰，將共同塑造IM-DD或輕型相干可插拔模塊的未來，并深刻影響光通信領域發展。
