9月8日消息，EUV光刻機(jī)是制造5nm以下工藝的關(guān)鍵設(shè)備，同樣重要的還有EUV光刻膠，現(xiàn)在無錫宣布國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握EUV光刻膠核心技術(shù)的平臺(tái)啟動(dòng)了。

來自無錫政府網(wǎng)站的消息，9月4日2025集成電路（無錫）創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)開幕。

本次大會(huì)上宣布了多個(gè)重磅項(xiàng)目，除了算力平臺(tái)外，還有2個(gè)值得關(guān)注的——無錫先進(jìn)制程半導(dǎo)體納米級(jí)光刻膠中試線作為全國(guó)首個(gè)掌握MOR型光刻膠核心原材料、配方及應(yīng)用技術(shù)的創(chuàng)新平臺(tái)，其研發(fā)生產(chǎn)的光刻膠將對(duì)標(biāo)世界一流水準(zhǔn)。

另一個(gè)則是江蘇（集萃）光刻膠樹脂合成中試線是全國(guó)唯一采用連續(xù)流技術(shù)制備光刻膠樹脂的研發(fā)平臺(tái)，首創(chuàng)高分子穩(wěn)定合成的聚合裝備與工藝。

其中MOR型光刻膠就是針對(duì)EUV時(shí)代光刻膠的新技術(shù)，它指的是金屬氧化物光阻劑，取代了目前DUV光刻膠所用的CAR化學(xué)增幅型光阻劑，是提高光刻分辨率、縮小柵極距、降低缺陷率的關(guān)鍵材料之一。

不僅5nm以下的工藝需要先進(jìn)EUV光刻膠，DRAM內(nèi)存工藝也會(huì)逐漸導(dǎo)入到EUV時(shí)代，同樣需要EUV光刻膠，NAND閃存暫時(shí)還沒有需要EUV工藝，但未來一樣需要EUV工藝才能進(jìn)一步提升密度。