8 月 28 日消息，SK 海力士 8 月 25 日宣布，已開(kāi)發(fā)完成并開(kāi)始向客戶供應(yīng)業(yè)界首款采用“High-K EMC”材料的高效散熱移動(dòng) DRAM 產(chǎn)品。
據(jù)IT之家了解，EMC（環(huán)氧模封料，Epoxy Molding Compound）用于密封保護(hù)半導(dǎo)體免受濕氣、熱氣、沖擊和靜電等外部環(huán)境影響，并起到散熱通道作用的半導(dǎo)體后工藝中必要材料。High-K EMC 是指在 EMC 中使用熱導(dǎo)系數(shù)（K 值）更高的材料，從而提高熱導(dǎo)率（Thermal conductivity）。
SK 海力士表示：“隨著端側(cè) AI（On-Device AI）運(yùn)行過(guò)程中高速數(shù)據(jù)處理所導(dǎo)致的發(fā)熱問(wèn)題日益嚴(yán)重，已成為智能手機(jī)性能下降的主要原因。該產(chǎn)品有效解決了高性能旗艦手機(jī)的發(fā)熱問(wèn)題，獲得了全球客戶的高度評(píng)價(jià)。”
目前最新的旗艦手機(jī)多采用 PoP（Package on Package）結(jié)構(gòu)，即將 DRAM 垂直堆疊在移動(dòng)處理器（Application Processor）上。該結(jié)構(gòu)雖然能夠高效利用有限空間并提升數(shù)據(jù)處理速度，但也導(dǎo)致移動(dòng)處理器產(chǎn)生的熱量積聚在 DRAM 內(nèi)部，從而影響整機(jī)性能。
為解決這一問(wèn)題，SK 海力士致力于提升 DRAM 封裝關(guān)鍵材料 EMC 的熱導(dǎo)性能。公司在傳統(tǒng) EMC 中使用的二氧化硅（Silica）基礎(chǔ)上，混合了氧化鋁（Alumina），開(kāi)發(fā)出 High-K EMC 新材料。該新材料熱導(dǎo)率與傳統(tǒng)材料相比提高到 3.5 倍，從而將熱量垂直傳導(dǎo)路徑的熱阻降低了 47%。
散熱性能的提升有助于改善智能手機(jī)整機(jī)性能，同時(shí)通過(guò)降低功耗，可延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間并提高產(chǎn)品壽命。公司期待該產(chǎn)品能夠引發(fā)移動(dòng)設(shè)備行業(yè)的高度關(guān)注和強(qiáng)勁需求。
SK 海力士 PKG 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)擔(dān)當(dāng)李圭濟(jì)副社長(zhǎng)表示：“此次產(chǎn)品不僅提升了性能，還有效緩解了高性能智能手機(jī)用戶的困擾，其意義深遠(yuǎn)而重大。我們將繼續(xù)以材料技術(shù)創(chuàng)新為基礎(chǔ)，牢固確立在新一代移動(dòng) DRAM 市場(chǎng)中的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。”
