8月14日消息，據業內消息，國產存儲廠商長鑫存儲CXMT）大規模設備投資已經重啟，計劃引進大量新設備擴大產能，以量產最新DRAM DDR5，并在此基礎上開發HBM3高帶寬內存產品。
消息稱，長鑫存儲第三季開始下訂設備，于安徽省合肥市生產基地建立產線。 長鑫存儲最初告知設備供應商，年初開始訂購新設備大幅提升產能。 但受DDR4停產及美國可能有更嚴格出口禁令影響，新設備延后進廠。
根據預計，長鑫存儲2026年HBM產能有可能將達每月5萬片晶圓，相當于三星和SK海力士2026年HBM產能的20%~25%。 在2025年第一季度的DRAM市場，長鑫存儲稱產能已經占據了全球DRAM市場約6%的份額。
由于美國對華出口限制，中國大陸獲取HBM3及更高端的HBM受限。據英國《金融時報》報道稱，中美貿易談判中，中方要求美方放寬HBM出口管制。
在此背景之下，長鑫存儲也在加速推進HBM的國產化。據了解，目前長鑫存儲已經完成了HBM2的開發，并加速推進HBM3的開發和量產。為此，長鑫存儲已經開始停產DDR4，并將原有DDR4設備升級至DDR5產線。但是由于美國考慮將長鑫存儲列入實體清單的限制，迫使長鑫存儲的設備進口延期。
從目前來看，長鑫存儲的研發中HBM依舊大幅落后于SK海力士、三星等廠商，目前三星和SK海力士正在使用10納米級1b制程DRAM生產HBM3e，并準備利用1c制程DRAM生產HBM4。 市場人士指出，長鑫存儲HBM商業化和進入市場還需要相當長時間，對2026年HBM市場影響有限。
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