隨著氮化鎵（GaN）市場的增長，該領域的競爭也在加劇，專利戰(zhàn)正成為一項重要的競爭手段。

氮化鎵市場快速增長，英諾賽科與英偉達達成合作

根據(jù)市場研究機構Yole Group 的報告《功率氮化鎵（2024 年版）》預計，得益于氮化鎵在汽車和服務器等高端應用場景中的應用，預計到 2029 年功率GaN市場規(guī)模將超過22億美元，2023年至2029年的復合年增長率（CAGR）預計達43%。

8月1日，國產(chǎn)氮化鎵（GaN）大廠在英諾賽科在成功進入英偉達800V直流電源架構合作商名錄之后，推動其當日股價一度暴漲近64%，收盤漲幅仍高達30.91%，之后的一個交易日又再度上漲30.47%，兩個交易日累計上漲超61%。

英諾賽科隨后也發(fā)布公告稱，公司已于近日與全球AI技術領導者英偉達達成合作，聯(lián)合推動800VDC（800伏直流）電源構架在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化落地。公司的第三代GaN器件具備出色的高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達800VDC構架提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。

英飛凌在與英諾賽科專利訴訟中獲一審勝訴

然而，同樣在8月1日，歐洲芯片大廠英飛凌宣布，德國慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于當?shù)貢r間2025年8月1日就英飛凌與英諾賽科（Innoscience）公司之間關于氮化鎵（GaN）技術的一審專利侵權案，裁定英飛凌公司勝訴。

慕尼黑地方法院裁定，英諾賽科在德國銷售的GaN產(chǎn)品侵犯了英飛凌的專利。該裁決特別禁止英諾賽科在德國制造、銷售或營銷侵權產(chǎn)品。此外，該裁決還要求英諾賽科向英飛凌支付損害賠償金。

英飛凌表示，其憑借業(yè)界最廣泛的知識產(chǎn)權組合（包含約450個GaN專利族），正不斷鞏固其在GaN市場領先的集成器件制造商（IDM）地位。“該裁決證明了英飛凌知識產(chǎn)權的實力，并證實了英飛凌致力于大力捍衛(wèi)其知識產(chǎn)權免受侵權的承諾。”

對此，英諾賽科尚未正面回應。不過，在今年1月16日，英諾賽科曾發(fā)布公告稱，本公司及本公司之全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（后者簡稱“英諾蘇州”，二者統(tǒng)稱“原告”）已向中國江蘇省蘇州市中級人民法院起訴英飛凌科技（中國）有限公司（以下稱“被告一”）、英飛凌科技（無錫）有限公司（以下稱“被告二”）及蘇州芯沃科電子科技有限公司（以下稱“被告三”），就202311774650.7號專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1430號》，及就202211387983.X號專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1431號》。

隨后，英飛凌科技（中國）有限公司針對英諾賽科的專利訴訟提起了管轄權異議上述，不過在2025年5月9日，法院裁定駁回英飛凌科技（中國）有限公司的管轄權異議上訴，確認江蘇省蘇州市中級人民法院對兩起專利侵權案的管轄權。

與EPC專利訴訟

除了與英飛凌的專利訴訟之外，英諾賽科還面臨另一位競爭對手——宜普電源轉換公司（EPC）的專利訴訟。

2023年5月，EPC在ITC對英諾賽科提起專利侵權訴訟調(diào)查，宣稱英諾賽科侵犯了EPC的US’508號專利和US’294號專利。2024年11 月8日，EPC宣布美國國際貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會維持此前的初步裁定，確認英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術專利。

對此，英諾賽科在同日回應稱，美國ITC于2024年11月7日發(fā)布的337調(diào)查終裁決定證實，英諾賽科沒有侵犯EPC的US'508號專利的權利要求1（該專利中唯一被EPC用來主張權利的權利要求），英諾賽科的客戶將其產(chǎn)品進口到美國的合法性不受英諾賽科和宜普之間正在進行的專利糾紛的影響。

中國廠商加速GaN專利格局

為了應對專利訴訟問題，英諾賽科等中國廠商近年來也在加速相關GaN專利的布局。

根據(jù)知識產(chǎn)權與技術創(chuàng)新分析機構KnowMade最新公布的2025年二季度GaN專利監(jiān)測數(shù)據(jù)顯示，該季度出現(xiàn)了645 項新的GaN專利家族申請，其中中國的西安電子科技大學占比9%，相比一季度幾乎增長了一倍，位居第一。緊隨其后的英飛凌占比3%，意法半導體、京東方、中國電子、Wolfspeed均占比2%，英諾賽科占比1%。

但如果看被新授予的GaN專利，二季度有超過 320 項新專利家族被授予，英諾賽科在總的被新授予的GaN專利家族中的占比為3%，與西安電子科技大學（3%）并列第一。緊隨其后的是Toyota（2%）、聯(lián)電（2%）、Hatchip（2%）、中國電子（2%）、Wolfspeed（2%）。

KnowMade指出，英諾賽科被授予的GaN專利數(shù)量的增長，反映了其在功率 GaN 領域的知識產(chǎn)權地位得到加強。相比之下，二季度有220 多項專利到期或放棄，這對于 Wolfspeed 和英飛凌等公司產(chǎn)生了重大影響。

KnowMade解釋稱，第二季度，有90多項GaN專利被轉讓，其中大部分為射頻GaN專利，這重塑了射頻GaN市場格局。值得一提的是，Wolfspeed 在之前的業(yè)務出售后，繼續(xù)將其射頻氮化鎵 IP 資產(chǎn)轉讓給 Macom；SpaceX 在 Akoustis Technologies 破產(chǎn)后收購了其所有知識產(chǎn)權資產(chǎn)；Axiro Semiconductor 于2024年10月則通過收購瑞薩電子射頻元件業(yè)務提升了其地位。

根據(jù)英諾賽科公布的數(shù)據(jù)顯示，截至2023年12月31日，英諾賽科在全球有約319項專利及430項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。截至2024年底，英諾賽科累計的專利授權量達到了422項，核心技術已經(jīng)覆蓋了全電壓譜系（15V-1,200V）。

值得一提的是，今年4月1日，英諾賽科還發(fā)布公告稱，與功率半導體大廠意法半導體簽署了一項基于GaN功率技術開發(fā)與制造的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，擬在未來幾年內(nèi)共同推動該技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領域的應用。