2025年2月20日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案。

　　圖示1-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的48V/120A BMS方案的展示板圖

　　BMS（電池管理系統）被稱為電池保姆或電池管家，其主要功能是智能化管理及維護各個電池單元，監控電池運行的狀態、防止其出現過充電和過放電的情況，從而延長電池的使用壽命。當前，市面上的電池管理系統大多數采用Si MOS設計，由于Si MOS具有寄生二極管，必須成對使用，才能進行充/放電電流的控制。為突破此限制，大聯大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件推出48V/120A BMS方案，能夠一顆產品替代兩顆Si MOS，在顯著降低開發成本的同時，減少PCB占板面積。

　　圖示2-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的48V/120A BMS方案的場景應用圖

　　INV100FQ030C是英諾賽科基于先進VGaN技術自研的雙向導通100V硅基氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管，該產品采用4mm×6mm FCQFN封裝，支持雙向導通和雙向截止，導通電阻僅為100V/3.2mΩ，且具備無反向恢復、超低柵極電荷等特性，適用于BMS管理系統、雙向變換器的高側負荷開關、電源系統中的開關電路等應用。

　　在BMS應用中，當系統需要正常充電或者正常放電時，可以通過在Gate-D1或者Gate-D2之間施加5V驅動電壓，將VGaN完全打開，以此實現系統的充電或者放電。當系統需要充電保護或者放電保護時，VGaN的Gate信號可以被主動連接到D1或D2，實現系統充電關斷或者放電關斷，同時利用VGaN的“體二極管”特性，電路可以實現充電保護后放電，或者放電保護后充電功能，從而可以實現一顆VGaN替換一對CHG、DSG MOS的設計。

　　圖示3-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的48V/120A BMS方案的方塊圖

　　在同等100A負載電流情況下，傳統的Si MOS串并聯BMS方案需要多達20顆器件才能達到所需的性能。而采用基于VGaN器件的BMS方案，僅需8顆產品即可滿足100A溫升需求，不僅將器件數量減少一半以上，而且在熱性能上也表現出顯著優勢。

　　核心技術優勢：

• 小體積：65mm×165mm，PCB占板面積及PCB成本比Si MOS降低40%；

• 兼容性：采用目前主流的低邊AFE進行充放電控制，使用專門設計的邏輯轉換電路兼容當前Si方案的CHG/DSG控制邏輯；

• 散熱性能好：綜合考慮VGaN的封裝特點，優化PCB布局，實現最佳散熱性能；

• 雙向導通：英諾賽科VGaN（INV100FQ030C）以一顆替代多顆Si MOS，降低成本。

　　方案規格：

• 電池類型：三元鋰或磷酸鐵鋰；

• 電池串數：16串；

• 常規放電電流：100A（typical）/120A（heatsink）；

• 短路保護電流：200A。

　　本篇新聞主要來源自大大通：

　　基于InnoGaN INV100FQ030C設計的48V/120A BMS方案

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