1月8日消息，根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新公布的2024年第四季度《全球晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告預(yù)計(jì)，2025年全球?qū)⒂?8座新的晶圓廠開工建設(shè)。同時(shí)，預(yù)計(jì)2025年全球每月的晶圓產(chǎn)能將達(dá)到3360萬片約當(dāng)8英寸晶圓，同比將增長(zhǎng)6.6%。

2025年全球?qū)⒂?8座晶圓廠開工

報(bào)告顯示，2025年全球?qū)⒂?5座12英寸（300mm）晶圓廠和3座8英寸（200mm）晶圓廠開工建設(shè)，其中大部分都將在2026年至2027年開始運(yùn)營(yíng)。

從2025年新建晶圓廠的區(qū)域來看，美洲有4座，這主要得益于美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》配套的補(bǔ)貼政策的刺激；日本也有4座，這也主要是由于日本積極發(fā)展本土半導(dǎo)體制造業(yè)，以及臺(tái)積電熊本晶圓廠的帶動(dòng)；中國(guó)大陸地區(qū)由于前幾年持續(xù)的進(jìn)行了大規(guī)模興建晶圓廠，因此2025年有所放緩，似乎只有3座新晶圓廠會(huì)開建；歐洲及中東地區(qū)有3座，中國(guó)臺(tái)灣有兩個(gè)項(xiàng)目，韓國(guó)和東南亞則各有一座晶圓廠。

2024年第四季度的《全球晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告涵蓋2023年至2025年，報(bào)告顯示全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃開始運(yùn)營(yíng)的新的高容量晶圓廠多達(dá)97座。其中包括2024年的48個(gè)項(xiàng)目和2025年將啟動(dòng)的32個(gè)項(xiàng)目，晶圓尺寸從50mm到300mm不等。

Semi 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 說，“半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)到了關(guān)鍵時(shí)刻，投資推動(dòng)了前沿和主流技術(shù)的發(fā)展，以滿足不斷變化的全球需求。生成式 AI 和高性能計(jì)算正在推動(dòng)前沿邏輯和內(nèi)存領(lǐng)域的進(jìn)步，而主流制程工藝節(jié)點(diǎn)將繼續(xù)支撐汽車、物聯(lián)網(wǎng)和電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵應(yīng)用。18 個(gè)新的半導(dǎo)體晶圓廠將于 2025 年開始建設(shè)，這表明該行業(yè)致力于支持創(chuàng)新和顯著的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)。”

2025年全球晶圓產(chǎn)能將達(dá)每月3360萬片8英寸晶圓

從產(chǎn)能來看，預(yù)計(jì)2025年全球每月的晶圓產(chǎn)能將達(dá)到3360萬片約當(dāng)8英寸晶圓，同比將增長(zhǎng)6.6%。

其中，由于芯片制造商正在積極擴(kuò)大先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能（7nm 及以下），預(yù)計(jì)到 2025 年將增長(zhǎng)到 220萬片/月，年增長(zhǎng)率將達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的 16%。

在中國(guó)大陸芯片自給自足戰(zhàn)略以及汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用預(yù)期需求的推動(dòng)下，2025年全球主流制程節(jié)點(diǎn)（8nm~45nm）的產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2025年將再增加 6% 的容量，達(dá)到1500萬片/月的里程碑。

成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)（50nm 及以上）目前正在經(jīng)歷更保守的擴(kuò)張，這反映了這一市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢和產(chǎn)能利用率低。預(yù)計(jì)這一細(xì)分市場(chǎng)2025年的產(chǎn)能將達(dá)到 1400萬片/月，同比將增長(zhǎng) 5%。

晶圓代工產(chǎn)能同比增長(zhǎng)10.9%

預(yù)計(jì)2025年晶圓代工廠商的總產(chǎn)能將達(dá)到1260萬片/月，相比2024年的1130萬片/月增長(zhǎng)了10.9%。這也意味著晶圓代工廠商仍將是2025年半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)的領(lǐng)導(dǎo)者。

從整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)來看，其產(chǎn)能將在2024年和2025年分別小幅增長(zhǎng) 3.5% 和 2.9%。然而，強(qiáng)勁的生成式 AI 需求，正在推動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的重大變化，特別是對(duì)于高帶寬內(nèi)存 （HBM） 的需求正在激增，這也導(dǎo)致了DRAM 和 NAND Flash之間產(chǎn)生了不同的產(chǎn)能增長(zhǎng)趨勢(shì)。

SEMI預(yù)計(jì) DRAM產(chǎn)能將保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，預(yù)計(jì) 2025 年將同比增長(zhǎng)約 7%，達(dá)到 450萬片/月。相反，NAND Flash 的裝機(jī)容量預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng) 5%，達(dá)到 370萬片/月。